[发明专利]微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备在审
申请号: | 201710637001.0 | 申请日: | 2017-07-19 |
公开(公告)号: | CN109280905A | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 吴绍飞 | 申请(专利权)人: | 吴绍飞 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/52 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 211100 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微波谐振腔体 微波功率源 样品台系统 传输系统 真空系统 工艺室 微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备 自动传片系统 控制系统 气路系统 等间隔排列 微波谐振腔 磁场装置 淀积工艺 均匀性好 控制软件 生产效率 室内部 淀积 功耗 固化 薄膜 主机 自动化 体内 | ||
1.一种微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备,包括微波功率源及传输系统(101)、微波谐振腔体(102)、工艺室与样品台系统(103)、真空系统(104)、气路系统(105),所述的微波谐振腔体(102)、真空系统(104)、气路系统(105)分别与工艺室与样品台系统(103)相连,其特征在于:
工艺室与样品台系统(103)设有工艺室(809)、承片装置(801)和样品台(802),该工艺室(809)与自动传片系统(106)相连,该样品台(802)中设有加热装置(814);
微波谐振腔体(102)采用上圆波导(301)-锥形波导(302)-下圆波导(313)三段一体结构,微波谐振腔体底部设有介质窗(303),该介质窗上设有磁场装置(306);
磁场装置(306)采用永磁磁铁(402)形成环形相间排列结构;
所述的每个系统均通过控制系统(107)控制。
2.根据权利要求1所述的微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备,其特征在于,自动传片系统(106)包括预真空室(701)、传片机械手(702)、放置在预真空室内的取片片盒(704)和置片片盒(703),该取片片盒装载衬底光片,置片片盒装载薄膜晶片,传片机械手从取片片盒中取出衬底光片,通过矩形阀(509)由预真空室进入工艺室(809),并通过样品台承片装置(801)将晶片放置在样品台(802)上;传片机械手通过样品台承片装置将薄膜晶片取出,经矩形阀由工艺室进入预真空室,并将薄膜晶片放置在置片片盒中。
3.根据权利要求1所述的微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备,其特征在于,所述的承片装置(801)包括转动螺杆(804)、传动螺杆(805)、承载台(803);该转动螺杆两端分别与转动电机(810)和传动螺杆相连;传动螺杆顶端固定在承载台中心。
4.根据权利要求1所述的微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备,其特征在于,微波谐振腔体(102)的下圆波导(313)依次固定有法兰盘(312)、无磁托盘(307),所述的磁场装置(306)放置在该无磁托盘上。
5.根据权利要求1或4所述的微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备,其特征在于,法兰盘(312)中间设有窗口,所述的介质窗(303)覆盖在该窗口上,该法兰盘下外缘与工艺室(809)的上外缘通过螺纹(311)连接。
6.根据权利要求1所述的微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备,其特征在于,所述的环形相间排列结构是将三圈永磁磁铁由内向外按不同半径和角度等间隔固定在无磁模板(401)上,即R1∶R2∶R3=1∶2∶3,θ1∶θ2∶θ3=4∶2∶1。
7.根据权利要求1所述的微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备,其特征在于,所述的气路系统(105)共设六个气路,每个气路由气瓶、减压阀、过滤器、第一截止阀、流量计、第二截止阀依次相连组成,每个气路的第二截至阀均通过不锈钢管路依次与混气罐(607)和气流环(608)连接,所有气路由气路显示与控制装置(609)控制气体流量。
8.根据权利要求1所述的微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备,其特征在于,所述的控制系统(107)包括上位机(901)、系统模拟量微控制器(902)、系统数字量微控制器(903)、系统智能仪表控制单元(904)、模拟信号控制系统部件(905)、数字信号控制系统部件(906)、智能仪表(907),该上位机通过网络分别与系统模拟量微控制器、系统数字量微控制器、系统智能仪表控制单元连接,该系统数字量微控制器与数字信号控制系统部件相连,该系统模拟量微控制器与模拟信号控制系统部件相连,该系统智能仪表控制单元与智能仪表相连。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的