[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示面板

说明书

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，在薄膜晶体管的制作过程中，无需对栅绝缘薄膜进行大面积刻蚀。薄膜晶体管的制备方法，包括：在有源层上依次形成栅绝缘薄膜、栅金属薄膜和光刻胶；采用半色调掩模板对光刻胶进行曝光，光刻胶完全保留部分位于待形成栅极的区域，光刻胶完全去除部分位于光刻胶完全保留部分的两侧且位于有源层的上方，光刻胶半保留部分位于其他区域；采用刻蚀工艺对栅金属薄膜和栅绝缘薄膜进行刻蚀；去除光刻胶半保留部分，对光刻胶半保留部分对应的栅金属薄膜进行刻蚀，形成栅极，并去除所述光刻胶完全保留部分；形成层间绝缘层，源极和漏极。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

顶栅型薄膜晶体管具有制作工艺简单，沟道的宽长比(W/L)较大，且栅极与源极、漏极之间的寄生电容(Cgs)小等优点而得到了广泛的应用。

现有顶栅型薄膜晶体管的制作流程图，包括以下步骤：

S10、如图1a所示，在衬底10上，采用构图工艺形成有源层20。

S11、如图1b所示，在形成有源层20的衬底10上，依次形成栅绝缘薄膜301和栅金属薄膜401。

S12、如图1c和图1d所示，在栅金属薄膜401上涂布光刻胶501，并通过光刻工艺形成光刻胶图案50。

S13、如图1e所示，采用刻蚀工艺对栅金属薄膜401进行刻蚀，形成栅极40。

S14、如图1f所示，采用刻蚀工艺对栅绝缘薄膜301进行刻蚀，形成栅绝缘层30。

S15、如图1g所示，去除光刻胶图案50，并在形成有栅极40、栅绝缘层30的衬底10上，采用构图工艺形成层间绝缘层60，该层间绝缘层60包括位于栅极40两侧有源层20上方的过孔。

S16、如图1h所示，采用构图工艺形成源极71和漏极72，源极71和漏极72分别通过上述过孔与有源层20接触。

然而，上述顶栅型薄膜晶体管的制作方法存在以下问题：采用刻蚀工艺对栅绝缘薄膜301进行刻蚀，形成栅绝缘层30时，需要大面积的对栅绝缘薄膜301进行刻蚀，这样会造成刻蚀不均匀，从而当该薄膜晶体管引用于显示装置时，导致显示不均(Mura)。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板，在薄膜晶体管的制作过程中，无需对栅绝缘薄膜进行大面积刻蚀。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成有源层；在形成所述有源层的衬底上，依次形成栅绝缘薄膜、栅金属薄膜和光刻胶；采用半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分位于待形成栅极的区域，所述光刻胶完全去除部分位于所述光刻胶完全保留部分的两侧且位于所述有源层的上方，所述光刻胶半保留部分位于其他区域；采用刻蚀工艺对与所述光刻胶完全去除部分对应的所述栅金属薄膜和所述栅绝缘薄膜进行刻蚀；其中，对所述栅绝缘薄膜进行刻蚀后，形成包括第一过孔的栅绝缘层；去除所述光刻胶半保留部分，对所述光刻胶半保留部分对应的所述栅金属薄膜进行刻蚀，形成所述栅极，并去除所述光刻胶完全保留部分；在形成所述栅极的衬底上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层包括与所述第一过孔重叠的第二过孔；在形成所述层间绝缘层的衬底上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极通过所述层间绝缘层上的所述第二过孔、所述栅绝缘层上的所述第一过孔与所述有源层接触。