[发明专利]一种半导体发光元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其至少包括衬底，及依次位于所述衬底上的N型层、多量子阱结构层、最终势垒层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，所述多量子阱结构层包括交替层叠的势垒层和势阱层，其特征在于：所述最终势垒层和电子阻挡层之间还包括第一盖层及位于第一盖层上的第二盖层，所述第一盖层为未掺杂层，所述第二盖层为高浓度的P型掺杂层，所述第一盖层与所述第二盖层的能级均高于势垒层及电子阻挡层的能级，所述第二盖层中P型掺杂浓度高于P型层中P型掺杂浓度，但低于P型接触层中的P型掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述第一盖层为u-AlN层，所述第二盖层为p-AlN层。

3.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述第二盖层的厚度小于所述势阱层的厚度。

4.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述第二盖层中P型掺杂杂质的浓度为1×10¹⁹ cm^-3~1×10²⁰cm^-3。

5.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述第二盖层的厚度小于20Å。

6.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述电子阻挡层为含铝氮化物层，其铝组份含量为2%~25%。

7.一种半导体发光元件的制备方法，至少包括如下步骤：

S1、提供一衬底；

S2、于所述衬底上生长N型层；

S3、于所述N型层上生长多量子阱结构层，所述多量子阱结构层包括交替层叠的势垒层和势阱层；

S4、所述多量子阱结构层生长结构后，继续生长最终势垒层；

S5、于最终势垒层上生长第一盖层和第二盖层，所述第一盖层为未掺杂层，其生长温度介于所述势阱层与势垒层的生长温度之间，所述第二盖层为高浓度P型掺杂层，其生长温度低于所述势阱层的生长温度，所述第一盖层与所述第二盖层的能级均高于势垒层及电子阻挡层的能级；

S6、于所述第二盖层上继续生长电子阻挡层、P型层和P型接触层。

8.根据权利要求7所述的一种半导体发光元件的制备方法，其特征在于：所述最终势垒层为未掺杂结构层，其生长温度与势垒层的生长温度相同。

9.根据权利要求7所述的一种半导体发光元件的制备方法，其特征在于：所述第一盖层为u-AlN层，所述第二盖层为p-AlN层。