[发明专利]一种半导体晶圆的清洗方法在审
| 申请号： | 201710639479.7 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109326500A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 赵厚莹 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 清洗 电动电势 半导体晶圆 晶圆表面 漂洗槽 酸性清洗液 电动电位 清洗过程 清洗效果 重新附着 动电位 去除 残留 金属 | ||
1.一种半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，包括下述步骤：
对晶圆执行第一清洗，以使所述晶圆的电动电势转变为正值；
使用酸性清洗液清洗所述晶圆，以去除所述晶圆上残留的金属；
对所述晶圆执行第二清洗，且在所述第二清洗过程中，所述晶圆进入漂洗槽的初期，漂洗槽里的液体电动电势为正值，并在第二清洗完成后所述晶圆的电动电势转变为负值。
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在所述第一清洗中使用去离子水和酸性表面活性剂的混合溶液。
3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述对晶圆执行第一清洗，以使所述晶圆的电动电势转变为正值包括下述步骤：
在去离子水槽中清洗所述晶圆；
向所述去离子水槽中注入所述酸性表面活性剂，继续清洗所述晶圆。
4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述酸性清洗液为SC2和氢氟酸的混合液。
5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在所述第二清洗中使用去离子水和酸性表面活性剂的混合溶液。
6.根据权利要求5所述的清洗方法，其特征在于，所述对所述晶圆执行第二清洗包括下述步骤：
向去离子水槽中注入所述酸性表面活性剂后，使用去离子水和酸性表面活性剂的混合液清洗所述晶圆；
停止向去离子水槽中注入所述酸性表面活性剂，并继续在所述向去离子水槽中清洗所述晶圆。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的清洗方法，其特征在于，在所述对晶圆执行第一清洗，以使所述晶圆的电动电势转变为正值之前，还包括下述步骤：
去除所述晶圆上残留的颗粒和部分金属。
8.根据权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，所述去除所述晶圆上残留的颗粒和部分金属包括下述步骤：
使用第一清洗液清洗晶圆；
使用去离子水清洗晶圆。
9.根据权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，在所述去除所述晶圆上残留的颗粒和部分金属之前还包括下述步骤：
使用去离子水清洗所述晶圆。
10.根据权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，在所述对所述晶圆执行第二清洗之后，还包括下述步骤：
使用去离子水清洗晶圆；
对晶圆进行亲水性处理。
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