[发明专利]一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法

权利要求书

1.一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法，所述superstrate结构的太阳电池制备时，依次在玻璃基底上制备导电层、缓冲层和吸收层，在硫化或硒化后，在吸收层上制备背电极，其特征是：

（1）制备superstrate结构的太阳电池时，太阳电池的缓冲层采用氧化物材料，所述氧化物材料为TiO₂、ZnO、Zn_1-xMg_xO、Zn₂SnO₄中的一种，其中Zn_1-xMg_xO 中x≤0.4；

（2）制备薄膜太阳电池吸收层之后，对导电层进行进一步的处理，所述导电层为透明导电氧化物层；所述吸收层为铜锌锡硫吸收层、铜锡硫吸收层或铜锑硫吸收层，且采用喷雾热解法或溶胶凝胶法制备；在透明导电氧化物层上用喷雾热解法制备氧化锌膜或用真空法蒸镀可以被硫化和硒化的金属薄膜，硫化或硒化后用无机酸洗掉相应部分，使透明导电氧化物层暴露出来；

（3）之后对相应的器件进行硫化或硒化。

2.根据权利要求1所述的适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法，其特征是：硫化或硒化时，温度为540℃，时间为15min。

3.根据权利要求1所述的适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法，其特征是：所述缓冲层的厚度为50 nm -200nm。

4.根据权利要求1所述的适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法，其特征是：步骤（2）中，所述金属薄膜为银薄膜、锌薄膜中的一种，厚度为20nm-200nm，所述氧化锌膜厚度为50nm-100nm。

5.根据权利要求4所述的适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法，其特征是：所述透明导电氧化物层为掺氟二氧化锡导电层或铟锡氧化物导电层。

6.根据权利要求4所述的适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法，其特征是：所述吸收层厚度为1μm-5μm。

7.根据权利要求1所述的适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法，其特征是：所述无机酸为盐酸、硝酸或硫酸，所述无机酸的体积浓度≥10%。