[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，属于显示技术领域。该方法包括：在衬底基板上形成有源层；在有源层上依次形成第一栅绝缘图形和栅极图形；在栅极图形上依次形成层间绝缘层和源漏极图形；其中，第一栅绝缘图形的上表面形成有凸起结构，栅极图形的下表面形成有与凸起结构形状匹配的凹槽结构，栅极图形在衬底基板上的正投影覆盖第一栅绝缘图形在衬底基板上的正投影。本发明通过栅极图形在衬底基板上的正投影覆盖第一栅绝缘图形在衬底基板上的正投影，有效的提高了TFT的开态电流。本发明用于显示面板中。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

氧化物半导材料因其载流子迁移率高、制备温度低、电学均匀性好、对可见光透光和成本低等优势，被认为是最适合驱动有机发光二极管(英文：Organic Light-EmittingDiode；简称：OLED)的薄膜晶体管(英文：Thin-film transistor；简称：TFT)的半导体有源材料之一，采用氧化物半导体制成的TFT称为氧化物TFT，目前氧化物TFT已广泛地应用在OLED显示面板中。

由于顶栅型TFT寄生效应较少，因此目前大部分氧化物TFT均是顶栅型TFT，其中，寄生效应是指TFT中的栅极与源漏极之间形成寄生电容的现象。例如，请参考图1-1，图1-1是现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板可以包括：衬底基板01、遮挡层02、缓冲层03、有源层04、栅绝缘图形05、栅极图形06、层间绝缘层07和源漏极图形08，该有源层04可被分为栅控区域041、轻掺杂漏极(英文：Lightly Doped Drain；简称：LDD)区域042和导体化区043，其中，有源层04中栅极图形06在有源层04上的正投影的区域为栅控区域041，有源层04中未被栅绝缘图形05在有源层04上的正投影覆盖的区域为导体化区域043，有源层04中导体化区域043与栅控区域041之间的区域为LDD区域042。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

如图1所示，由于受到制造工艺的影响，栅绝缘图形05和栅极图形06在有源层04上的正投影面积依次减小，导致LDD区域042的宽度d01增大，因此寄生电阻较大，进而导致TFT的开态电流较小。

发明内容

为了解决现有技术的TFT的开态电流较小问题，本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：

在衬底基板上形成有源层；

在所述有源层上依次形成第一栅绝缘图形和栅极图形；

在所述栅极图形上依次形成层间绝缘层和源漏极图形；

其中，所述第一栅绝缘图形的上表面形成有凸起结构，所述栅极图形的下表面形成有与所述凸起结构形状匹配的凹槽结构，所述栅极图形在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一栅绝缘图形在所述衬底基板上的正投影。

可选的，所述在所述有源层上依次形成第一栅绝缘图形和栅极图形，包括：

在所述有源层上形成栅绝缘层薄膜；

对所述栅绝缘层薄膜执行一次构图工艺，以形成第二栅绝缘图形；

在所述第二栅绝缘图形上形成栅极薄膜；

对所述栅极薄膜和所述第二栅绝缘图形执行一次构图工艺，以形成所述栅极图形和所述第一栅绝缘图形；

其中，所述第二栅绝缘图形在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影，所述有源层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一栅绝缘图形在所述衬底基板上的正投影。