[发明专利]浪涌防护装置及方法以及一种移动终端

权利要求书

1.一种浪涌防护装置，其特征在于，包括瞬态抑制二极管和过压保护芯片，其中，所述瞬态抑制二极管的一端连接于所述过压保护芯片与需进行浪涌防护的接口的公共端上，所述瞬态抑制二极管的另一端接地，所述过压保护芯片的另一端与需进行浪涌防护的芯片连接；

其中，所述过压保护芯片的关断电压不大于所述需进行浪涌防护的芯片的耐压值和所述过压保护芯片的降压值之和；

其中，在浪涌电压经过所述瞬态抑制二极管的降压处理之后仍然高于或等于所述过压保护芯片的关断电压的情况下，所述过压保护芯片立即切断所述需进行浪涌防护的接口与所述需进行浪涌防护的芯片之间的通路，以及在所述浪涌电压经过所述瞬态抑制二极管的降压处理之后低于所述过压保护芯片的关断电压的情况下，所述过压保护芯片执行降压处理。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述过压保护芯片的耐压值高于所述瞬态抑制二极管的钳位电压。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述过压保护芯片的耐压值高于所述需进行浪涌防护的芯片的耐压值。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述瞬态抑制二极管的钳位电压高于所述需进行浪涌防护的芯片的耐压值但低于所述过压保护芯片的耐压值。

5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的装置，其特征在于，所述瞬态抑制二极管的反向耐压值高于所述需进行浪涌防护的芯片正常工作时的电压。

6.一种浪涌防护方法，其特征在于，该方法包括：

利用瞬态抑制二极管对需进行浪涌防护的芯片的浪涌电压进行降压处理后输出到过压保护芯片；以及

在所述浪涌电压经过所述瞬态抑制二极管的降压处理之后仍然高于或等于所述过压保护芯片的关断电压的情况下，所述过压保护芯片立即切断所述需进行浪涌防护的接口与所述需进行浪涌防护的芯片之间的通路，以及在所述浪涌电压经过所述瞬态抑制二极管的降压处理之后低于所述过压保护芯片的关断电压的情况下，所述过压保护芯片执行降压处理；

其中，所述过压保护芯片的关断电压被设置为不大于所述需进行浪涌防护的芯片的耐压值和所述过压保护芯片的降压值之和。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述过压保护芯片的耐压值被设置为高于所述瞬态抑制二极管的钳位电压。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述过压保护芯片的耐压值被设置为高于所述需进行浪涌防护的芯片的耐压值。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述瞬态抑制二极管的钳位电压被设置为高于所述需进行浪涌防护的芯片的耐压值但低于所述过压保护芯片的耐压值。

10.根据权利要求6至9中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述瞬态抑制二极管的反向耐压值被设置为高于所述需进行浪涌防护的芯片正常工作时的电压。

11.一种移动终端，其特征在于，该移动终端包括根据权利要求1至5中任一权利要求所述的浪涌防护装置。