[发明专利]一种硅碳氮蓝光发光薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种硅碳氮蓝光发光薄膜，其特征在于其化学通式是SiC_xN_y：其中，x的取值0.3~0.4，y取值0.8~0.9。

2.根据权利要求1所述的一种硅碳氮蓝光发光薄膜，其特征在于x取值0.36，y取值0.85。

3.权利要求1或2所述硅碳氮蓝光发光薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）将SiC靶材和衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体内，将真空腔体内

的真空抽至1.0×10^-3~1×10^-5Pa之间；

（2）调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为50~70mm，优选60mm氮气与氩气（N₂/Ar）的流量比为0.1~0.4：1，磁控溅射工作压强为1.0~2.0Pa，溅射功率为200~400W，衬底温度为常温，进行磁控溅射制备硅碳氮薄膜；

（3）将步骤（2）制备的硅碳氮薄膜置于退火炉中在氮气保护下400℃~800℃退火3~10分钟，得到蓝光发光的硅碳氮薄膜。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于步骤（1）中，采用机械泵和分子泵将真空腔内的真空抽至5×10^-4Pa；步骤（2）中氮气与氩气（N₂/Ar）的流量比为0.16：1，磁控溅射工作压强为1.4Pa，溅射功率为300W，基靶间距为60mm；步骤（3）中，退火温度600℃，时间5分钟。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于步骤（1）中，所述SiC靶材由下述方法制备得到：将粒度范围为0~1000微米的SiC粉末在真空或氩气中进行烧结，烧结温度为1000~1800℃，烧结后制成SiC靶材。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于步骤（1）中，所述衬底为单晶Si作为衬底，由下述方法制备得到：先用5%浓度的氢氟酸清洗Si片去除其表面氧化层，然后用去离子水清洗Si衬底，再在超声波容器中依次用丙酮、无水乙醇对Si衬底进行清洗10分钟去除其表面油脂，最后用去离子水冲洗并烘干得到Si衬底。