[发明专利]一种检测电源抗干扰能力的方法及设备

权利要求书

1.一种检测电源抗干扰能力的方法，其特征在于，所述电源电路包括输入直流电源、侦测电阻、等效串联电阻ESR、输出电容，方法包括：

获取所述电源电路的电路参数，其中，所述电路参数包括下列中的至少一项：所述输出电容的初始电压U0，所述等效串联电阻的电阻值ESR，所述侦测电阻的电阻值R1；

根据所述电路参数，确定所述侦测电阻两端的电压差变化趋势，其中，所述侦测电阻两端的电压差越大，所述电源抗干扰能力越强。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述电路参数，获取所述电源电路的电路参数，包括：

在所述输出电容放电过程中，获取所述电源电路的电路参数；

确定所述侦测电阻两端的电压差趋势，包括：

根据下列公式，确定所述输出电容放电过程中，所述侦测电阻第一端电压的电压值Vsense-随时间变化的曲线，

其中， 为所述输出电容的初始电压，C为所述输出电容的电容大小；

根据所述Vsense-随时间变化的曲线，确定所述侦测电阻在t时刻的两端的电压差变化趋势，其中，在t时刻，所述ESR值越大，所述侦测电阻两端的电压差越小。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据所述电路参数，获取所述电源电路的电路参数包括：

在所述输出电容充电过程中，获取所述电源电路的电路参数；

确定所述侦测电阻两端的电压差，包括：

根据下列公式，计算所述输出电容充电过程中，所述侦测电阻低电压端的电压值Vsense-，

其中， 为所述输出电容的充电电压，C为所述输出电容的电容大小；

根据所述Vsense-随时间变化的曲线，确定所述侦测电阻在t时刻的两端的电压差变化趋势，其中，在t时刻，所述ESR值越大，所述侦测电阻两端的电压差越小。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述电源用于为服务器背板供电。

5.一种设备，其特征在于，所示设备用于检测电源电路的抗干扰能力，所述电源电路包括输入直流电源、侦测电阻、等效串联电阻ESR、输出电容，所示设备包括：

获取单元，所述获取单元用于获取所述电源电路的电路参数，其中，所述电路参数包括下列中的至少一项：所述输出电容的初始电压U0，所述等效串联电阻的电阻值ESR，所述侦测电阻的电阻值R1；

确定单元，所述确定单元用于根据所述电路参数，确定所述侦测电阻两端的电压差变化趋势，其中，所述侦测电阻两端的电压差越大，所述电源抗干扰能力越强。

6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述获取单元用于：

在所述输出电容放电过程中，获取所述电源电路的电路参数；

所述确定单元用于：根据下列公式，确定所述输出电容放电过程中，所述侦测电阻第一端电压的电压值Vsense-随时间变化的曲线，

其中， 为所述输出电容的初始电压，C为所述输出电容的电容大小；

根据所述Vsense-随时间变化的曲线，确定所述侦测电阻在t时刻的两端的电压差变化趋势，其中，在t时刻，所述ESR值越大，所述侦测电阻两端的电压差越小。

7.根据权利要求5或6所述的设备，其特征在于，所述获取单元用于：

在所述输出电容充电过程中，获取所述电源电路的电路参数；

所述确定单元用于：

根据下列公式，计算所述输出电容充电过程中，所述侦测电阻低电压端的电压值Vsense-，

其中， 为所述输出电容的充电电压，C为所述输出电容的电容大小；

根据所述Vsense-随时间变化的曲线，确定所述侦测电阻在t时刻的两端的电压差变化趋势，其中，在t时刻，所述ESR值越大，所述侦测电阻两端的电压差越小。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的设备，其特征在于，所述电源用于为服务器背板供电。

9.一种受控终端，其特征在于，包括：

处理器；

用于存储处理器的执行指令的存储器；

其中，所述处理器被配置为执行权利要求1-4任一项所述的方法。