[发明专利]一种GaN基LED电极结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710644313.4 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN109326700B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 徐晓强;刘琦;闫宝华;彭璐;肖成峰 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/40;H01L33/32 |
| 代理公司： | 37224 济南日新专利代理事务所 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极结构 制作 包覆式 管芯 光刻电极图形 光刻胶图形 发光效率 蒸镀材料 制作过程 规模化 粘附性 电极 台面 倒角 刻蚀 保证 | ||
1.一种GaN基LED电极结构，自下至上依次包括衬底、n型GaN层、量子阱层和p型GaN层，p型GaN层上设置有ITO电流扩展层，n型GaN层上设置有台面，ITO电流扩展层上设置有P电极，n型GaN层的台面上设置有N电极；其特征是：P电极和N电极的结构是自下至上依次包括第一Cr层、第一Al层、Ti层、Au层、第二Cr层和第二Al层。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED电极结构，其特征是：所述第一Cr层、第一Al层、Ti层、Au层、第二Cr层和第二Al层中上层包覆下层。
3.根据权利要求1所述的GaN基LED电极结构，其特征是：所述第一Cr层和第二Cr层的厚度为5-30埃。
4.根据权利要求1所述的GaN基LED电极结构，其特征是：所述第一Al层和第二Al层的厚度为500-1000埃。
5.根据权利要求1所述的GaN基LED电极结构，其特征是：所述Ti层的厚度为200-500埃。
6.根据权利要求1所述的GaN基LED电极结构，其特征是：所述Au层的厚度为3000-5000埃。
7.一种权利要求1所述GaN基LED电极结构制作方法，其特征是，包括以下步骤：
(1)在GaN基LED晶片的p型GaN层4上制作ITO薄膜层，作为ITO电流扩展层，自ITO薄膜层刻蚀到GaN基LED晶片的n型GaN层，在n型GaN层上形成台面；
(2)制作光刻电极图形，包括以下步骤：
①涂胶：使用负向光刻胶在晶片表面涂胶，涂胶厚度为10000埃-35000埃，涂胶转速为1600rpm-3000rpm；将涂胶后的晶片进行初步烘干，温度控制在70℃-120℃，时间为60-120秒；
②曝光：将完成步骤①的晶片进行曝光操作，曝光时间为5-25秒，曝光功率为200-500w，曝光完成后将晶片进行第二次烘烤，温度为70℃-120℃，时间为60-120秒；
③显影：将完成步骤②的晶片进行显影操作，显影时间为50-90秒，显影液温度为50-70℃，并保持恒温，显影完成后将晶片进行第三次烘烤(后烘)，温度为70℃-120℃，时间为60-120秒；
(3)制作电极结构，包括以下步骤：
①将完成步骤(2)的晶片放置在真空度至少为9.0E-6Torr的电子束蒸发台腔室内；
②蒸镀第一Cr层：蒸镀速率为0.5-3埃/秒，厚度为5-30埃，冷却1-3分钟；
③蒸镀第一Al层：蒸镀速率为5-10埃/秒，厚度达到500-1000埃，冷却3-5分钟；
④蒸镀Ti层：蒸镀速率为3-5埃/秒，厚度为200-500埃；
⑤蒸镀Au层：蒸镀速率为5-10埃/秒，厚度为3000-5000埃，冷却10分钟；
⑥蒸镀第二Cr层：蒸镀速率为0.5-3埃/秒，厚度为5-30埃，冷却1-3分钟；
⑦蒸镀第二Al层：蒸镀速率为5-10埃/秒，厚度达到500-1000埃，冷却至室温。
8.根据权利要求7所述的GaN基LED电极结构制作方法，其特征是，所述步骤(1)中ITO薄膜层的方块电阻低于30欧姆/口，透过率大于85％。
9.根据权利要求7所述的GaN基LED电极结构制作方法，其特征是，所述步骤(2)中制作的光刻电极图形中光刻胶倒角α为60°-75°。
10.根据权利要求7所述的GaN基LED电极结构制作方法，其特征是，所述步骤(2)的②中曝光时间为10-15秒。
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