[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710644974.7 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107507805B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 栃林克明;日向野聪;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
隔着栅极绝缘膜在栅电极层上形成岛状氧化物半导体膜；
在所述岛状氧化物半导体膜上形成导电膜；
通过使用含有卤素元素的蚀刻气体的等离子体处理对所述导电膜进行加工来形成源电极层和漏电极层；以及
对所述岛状氧化物半导体膜进行杂质去除处理以去除包含于所述蚀刻气体中的所述卤素元素，
其中，所述杂质去除处理是溶液处理，以及
其中，作为所述杂质去除处理，进行氧等离子体处理或一氧化二氮等离子体处理之后进行使用稀氢氟酸溶液的洗涤处理。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中作为所述杂质去除处理进行使用稀氢氟酸溶液的洗涤处理。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述岛状氧化物半导体膜的经过所述杂质去除处理的表面的卤素浓度为5×1018atoms/cm3以下。
4.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
隔着栅极绝缘膜在栅电极层上形成岛状氧化物半导体膜；
形成与所述岛状氧化物半导体膜电连接的导电膜；
通过使用含有卤素元素的蚀刻气体的等离子体处理对所述导电膜进行加工来形成源电极层和漏电极层；以及
对所述岛状氧化物半导体膜进行杂质去除处理以去除包含于所述蚀刻气体中的所述卤素元素，
其中，所述杂质去除处理是溶液处理，以及
其中，作为所述杂质去除处理，进行氧等离子体处理或一氧化二氮等离子体处理之后进行使用稀氢氟酸溶液的洗涤处理。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中作为所述杂质去除处理进行使用稀氢氟酸溶液的洗涤处理。
6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中所述岛状氧化物半导体膜的经过所述杂质去除处理的表面的卤素浓度为5×1018atoms/cm3以下。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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