[发明专利]三维存储器及其操作方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

多条源极线，位于衬底上；

多个隔离结构，分别位于所述源极线之间，以电性隔离所述源极线；

多条漏极线，位于所述源极线上，其中所述漏极线与所述源极线的延伸方向不同；

多个位线，自所述源极线延伸至所述漏极线；

多个电荷存储结构，分别围绕所述位线；以及

多个导体层，分别覆盖沿各所述源极线排列的所述电荷存储结构的表面。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，形成所述位线的材料包括第一型多晶硅材料，形成所述源极线与所述漏极线的材料包括第二型多晶硅材料，且所述第一型多晶硅材料不同于所述第二型多晶硅材料。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，各所述位线包括第一部分、第二部分与第三部分，所述第二部分位于所述第一部分与所述第三部分之间，所述第二部分被所述电荷存储结构所包围，所述第一部分连接所述源极线且作为源极，所述第三部分连接所述漏极线且作为漏极。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，还包括硅化金属层位于所述源极线上，以降低所述源极线与所述位线之间的电阻值。

5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述电荷存储结构是经组态以存储4比特的数据。

6.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述电荷存储结构包括穿隧介电层、电荷存储层以及电子阻挡层，所述电荷存储层位于所述穿隧介电层与所述电子阻挡层之间。

7.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述电荷存储层的材料包括氮化硅、氧化铝、二氧化铪、二氧化锆、氧化镧、氧化钇或其组合。

8.一种用于根据权利要求1所述的三维存储器的操作方法，其特征在于，包括程序化、抹除或读取所述电荷存储结构。

9.根据权利要求8项所述的操作方法，其特征在于，程序化所述电荷存储结构的步骤包括对所述导体层施加一正电压，对所述漏极线施加另一正电压，并将所述源极线接地，以将电子存储在靠近所述漏极线的所述电荷存储结构中。

10.根据权利要求8所述的操作方法，其特征在于，抹除所述电荷存储结构的步骤包括对所述导体层施加一负电压，对所述漏极线施加一正电压，并将所述源极线接地，以将电洞吸引至靠近所述漏极线的所述电荷存储结构中。

11.根据权利要求8所述的操作方法，其特征在于，读取所述电荷存储结构的步骤包括对所述导体层施加一读取电压，对所述漏极线施加一正电压，并将所述源极线接地，以读取靠近所述漏极线的所述电荷存储结构中的存储状态。

12.根据权利要求8所述的操作方法，其特征在于，读取所述电荷存储结构的步骤包括对所述导体层施加一读取电压，对所述源极线施加一正电压，并将所述漏极线接地，以读取靠近所述源极线的所述电荷存储结构中的存储状态。