[发明专利]一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 201710646004.0 | 申请日: | 2017-07-31 |
公开(公告)号: | CN107393945A | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 宫奎;冯庆立 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人: | 林桐苒,李丹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)显示基板具备主动发光、温度特性好、功耗小、响应快、可弯曲、超轻薄和成本低等优点,已广泛应用于显示设备中。
OLED显示基板按照出光方向可以分为三种:底发射OLED、顶发射OLED与双面发射OLED,具体的,底发射OLED中光从基板射出,顶发射OLED中光从顶部方向射,在双面发射OLED中光同时从基板和顶部射出。其中,顶发射OLED不受基板是否透光的影响,可有效提高OLED显示基板的开口率。
顶发射OLED主要包括:基板、设置在基板上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)以及包括阴极、阳极和发光层的OLED器件层,其中,阴极对顶发射OLED的性能有着至关重要的影响,阴极应该具有较好的透光性和导电性。传统的阴极主要采用高导电性能的金属材料例如金属银,作为阴极,在镀膜过程中均匀镀膜,通过调节金属膜层的厚度来平衡阴极的导电性和透光性,在满足透光性的前提下,阴极的厚度必然比较薄,此时的阴极电阻较大,阴极上各处的电压分布不均匀,进而使得OLED显示基板的显示不均匀且功耗偏高。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置,不仅能够提高OLED显示基板的显示均匀性,而且还能够降低功耗。
为了达到本发明目的,本发明提供了一种有机发光二极管OLED显示基板,包括:设置在基底上的OLED器件层和像素界定层;所述像素界定层包括有机绝缘层和用于连接OLED器件层中阴极的导电层。
进一步地,所述导电层设置在所述有机绝缘层远离基底的一侧。
进一步地,所述有机绝缘层在所述基底上的正投影覆盖所述导电层在所述基底上的正投影。
进一步地,所述有机绝缘层远离所述基底一侧的表面与所述基底之间的距离大于所述OLED器件层中发光层远离所述基底的一侧的表面与所述基底之间的距离。
进一步地,所述有机绝缘层的厚度为1-5微米,所述导电层的厚度为0.1-1微米。
进一步地,所述有机绝缘层的材料为光敏性绝缘有机树脂。
进一步地,所述导电层包括:导电金属粒子、导电合金粒子或者石墨烯。
另外,本发明实施例还提供一种显示装置,包括:有机发光二极管显示基板。
另外,本发明实施例还提供一种有机发光二极管显示基板制作方法,包括:
涂覆有机绝缘薄膜和导电薄膜;
通过掩模工艺形成包括有机绝缘层和导电层的像素界定层,其中,所述导电层用于连接OLED器件层中阴极。
进一步地,所述涂覆绝缘薄膜和导电薄膜之后,所述方法还包括:
对导电薄膜进行热固化处理;
其中,所述热固化处理的时间为50-70秒,热固化处理的温度为100-110摄氏度。
本发明实施例提供了一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置,该有机发光二极管显示基板包括:设置在基底上的OLED器件层和像素界定层,像素界定层包括有机绝缘层和用于连接OLED器件层中阴极的导电层,本发明实施例通过在像素界定层中设置与阴极连接的导电层,减小了阴极的电阻,提高了阴极的导电性,实现了各个像素单元之间的电压均匀分布,不仅能够提高显示的均匀性,而且还能够降低OLED显示基板的功耗。
当然,实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述,并且,部分地从说明书实施例中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案,并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为本发明实施例一提供的OLED显示基板的结构示意图;
图2为本发明实施例一提供的发光层的结构示意图;
图3为本发明实施例二提供的OLED显示基板制作方法的一个流程图;
图4为本发明实施例二提供的OLED显示基板制作方法的另一流程图;
图5(a)为本发明实施例二提供的OLED显示基板制作方法的示意图一;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的