[发明专利]成膜装置、成膜方法以及存储介质有效
申请号: | 201710646572.0 | 申请日: | 2017-08-01 |
公开(公告)号: | CN107686984B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 加藤寿 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 方法 以及 存储 介质 | ||
1.一种成膜装置,在形成真空环境的处理容器内进行多次向基板交替地供给作为处理气体的第一气体和第二气体的循环,从而在基板上形成薄膜,该成膜装置的特征在于,具备:
n个第一处理区域,所述n个第一处理区域沿着所述处理容器的周向隔开间隔地设置,各所述第一处理区域用于供给第一气体来对基板进行处理,其中,n为2以上的整数;
n个第二处理区域,各所述第二处理区域沿着所述周向设置在第一处理区域之间,用于供给第二气体来对基板进行处理;
分离部,其用于将所述第一处理区域与第二处理区域之间分离;
载置部,其构成为能够沿所述周向进行公转,并且沿所述周向配置多个所述载置部,各载置部用于载置基板;以及
控制部,其使所述载置部间歇性地进行公转,使得在停止公转的状态下,所述基板交替地位于所述第一处理区域和所述第二处理区域,
其中,所述载置部被配制成,在所述载置部的公转停止时,位于n个第一处理区域和n个第二处理区域的各处理区域中的基板的片数相同,
当将使所述载置部间歇性地进行公转以使所述基板在静止的状态下交替地位于第一处理区域和第二处理区域的运转模式称为间歇旋转模式时,
所述控制部构成为,能够选择连续旋转模式和所述间歇旋转模式中的一方,其中,该连续旋转模式是使所述载置部连续地进行公转以使所述基板连续地通过第一处理区域和第二处理区域的模式,
所述载置部的个数被设定为,在位于n个第一处理区域与n个第二处理区域的各处理区域中的基板的片数相同时,基板的载置部也位于所述分离部,
在选择了所述连续旋转模式时,在所有载置部上载置基板,
在所述载置部形成有用于升降销进行升降的贯通孔,该升降销用于在载置部与外部的基板搬送机构之间进行基板的交接,
在选择了所述间歇旋转模式时,所述控制部输出控制信号,使得在位于n个第一处理区域和n个第二处理区域的各处理区域中的基板的片数相同时位于所述分离部的载置部上载置虚设基板以堵塞该载置部的所述贯通孔。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
所述第一气体是吸附于所述基板的作为薄膜的原料的原料气体,所述第二气体是与该原料气体反应来生成反应生成物的反应气体。
3.根据权利要求1或2所述的成膜装置,其特征在于,
第一处理区域与第二处理区域中的所需的气体的供给时间互不相同,载置部与所需的气体的供给时间长的一方的时间相匹配地停止。
4.根据权利要求3所述的成膜装置,其特征在于,
所需的气体的供给时间短的处理区域中的气体的供给时间被设定为比所需的气体的供给时间长的处理区域中的气体的供给时间短。
5.根据权利要求1或2所述的成膜装置,其特征在于,
具备使所述载置部进行自转的自转机构,至少在对基板供给处理气体时,载置有该基板的载置部进行自转。
6.根据权利要求1或2所述的成膜装置,其特征在于,
还具备沿着所述处理容器的周向进行自转的旋转台,
多个所述载置部被配置在所述旋转台的上表面侧。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的