[发明专利]一种振荡器

权利要求书

1.一种振荡器，其特征在于，其包括：参考电压/电流产生电路，以及振荡器电路，

所述参考电压/电流产生电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第一电阻，第一电阻连接于电压源和第一MOS管的第一连接端之间，第一MOS管的第二连接端接地，第一MOS管的控制端与第一MOS管的第一连接端相连；第二MOS管的控制端与第一MOS管的控制端相连，第二MOS管的第二连接端接地；第三MOS管的控制端与第一MOS管的控制端相连，第三MOS管的第二连接端接地，其中，第一MOS管的控制端的电压为参考电压，第二MOS管的第一连接端的电流为第一参考电流，第三MOS管的第一连接端的电流为第二参考电流，

所述振荡器电路包括第一振荡单元和第二振荡单元，所述第一振荡单元包括第一比较电路、第一充/放电控制电路和第一电容，所述第一电容的一端与电压源相连，所述第一电容的另一端与第一比较电路的第一输入端相连，所述第一比较电路的第二输入端与所述参考电压相连；所述第二振荡单元包括第二比较电路、第二充/放电控制电路和第二电容，所述第二电容的一端与电压源相连，所述第二电容的另一端与第二比较电路的第一输入端相连，所述第二比较电路的第二输入端与所述参考电压相连，

基于所述第一参考电流对第一振荡单元中的第一电容进行充电，第一比较电路在第一电容另一端的电压小于或等于所述参考电压时，通知第一充/放电控制电路开始放电和第二充/放电控制电路开始充电；基于所述第二参考电流IREF2对第二振荡单元的第二电容进行充电，第二比较电路在第二电容另一端的电压小于或等于所述参考电压时，通知第二充/放电控制电路开始放电和第一充/放电控制电路开始充电；

所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管均为NMOS晶体管，所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管的第一连接端为NMOS晶体管的漏极，所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管的第二连接端为NMOS晶体管的源极，所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS的控制端为NMOS晶体管的栅极；

所述第一充/放电控制电路包括第四MOS管和第五MOS管，其中，第四MOS管的第一连接端与电压源相连，其第二连接端与第五MOS管的第一连接端相连，第五MOS管的第二连接端与所述第一参考电流相连，第四MOS管和第五MOS管之间的连接节点与所述第一电容的另一端相连，当所述第一充/放电控制电路被通知放电时，第四MOS管导通且第五MOS管关断；当所述第一充/放电控制电路被通知充电时，第四MOS管关断且第五MOS管导通，此时第一参考电流通过第五MOS管对第一电容充电，

所述第二充/放电控制电路包括第六MOS管和第七MOS管，其中，第六MOS管的第一连接端与电压源相连，其第二连接端与第七MOS管的第一连接端相连，第七MOS管的第二连接端与所述第二参考电流相连，第六MOS管和第七MOS管之间的连接节点与所述第二电容的另一端相连，当所述第二充/放电控制电路被通知放电时，第六MOS管导通且第七MOS管关断；当所述第二充/放电控制电路被通知充电时，第六MOS管关断且第七MOS管导通，此时，第二参考电流通过第七MOS管给第二电容充电；

由所述参考电压/电流产生电路得到以下关系式:

其中，IREF1为第一参考电流的电流值，IREF2为第二参考电流的电流值，VDD为电压源的电压值，RSET为第一电阻的电阻值，M是第二MOS管与第一MOS管的比值，或M为第三MOS管与第一MOS管的比值，

由于VDD上升速度大于VBN上升速度，所以随着VDD的上升，第一参考电流和第二参考电流也会增加；

由所述振荡器电路得到以下公式：

其中，Freq为所述振荡器电路的输出频率，C1为第一电容的电容值，IREF1为第一参考电流的电流值，IREF2为第二参考电流的电流值，VDD为电压源的电压值，RSET为第一电阻的电阻值，M是第二MOS管与第一MOS管的比值，M也是第三MOS管与第一MOS管的比值，

可见，输出频率Freq与M，C1和RSET有关，而与VDD无关。

2.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，

所述第一参考电流和第二参考电流相等。