[发明专利]一种QLED器件及其制备方法

说明书

本发明属于显示器件领域，提供了QLED器件及其制备方法。本发明提供的QLED器件，其发光层引入了表面含有活性官能团的碳材料层、有机金属化合物层以及量子点层，一方面，有机金属化合物层的一端与碳材料层表面的大量活性官能团连接，另一端则与量子点层连接在一起，使量子点紧密地锚定在碳材料层上，并且能够规整有序地排列成均匀的膜层，从而提高器件的发光均匀性、稳定性及发光寿命；另一方面，表面含有活性官能团的碳材料层的引入不仅能作为量子点排序的平台，而且其优异的导电性能可以提高载流子的传输和注入，从而提高器件的发光效率。

技术领域

本发明属于显示器件领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)在色彩显示方面具有亮度高、色度纯、寿命长等优异性能，且在制备流程方面具有工艺简单、成本低廉、操作稳定性好等优异表现。继液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)电视取代使用阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)电视后，QLED是最有希望取代LCD开启显示领域产业革命的高科技产品之一。

目前，在QLED的制备技术中，最常用且最有希望实现大规模产业化的生产加工方法是溶液成膜法，特别是器件中的除电极外的量子点发光层以及各种功能层。例如，对于量子点发光层的沉积方法，目前大多数溶液相成膜工艺是将表面配体功能化的量子点溶于有机溶剂中，配置成量子点溶液或量子点墨水，接着通过旋涂或印刷方式沉积衬底或底功能层上，然后采用同样的成膜方法在量子点发光层上沉积电子传输层，最后蒸镀电极，得到QLED器件。但是，量子点的颗粒尺寸与普通离子或有机小分子相比较大，并且量子点表面含有丰富的有机配体，成膜后量子点颗粒之间的连接并不紧密，膜层相对松散，同时与其下方的空穴传输层之间紧密度低，沉积后的量子点仍有很大机会在后续其他功能层的溶液法成膜过程中重新溶解带走或直接冲走，导致量子点膜层不均匀，以及器件发光不均匀。即使采用难溶解量子点的溶剂，也难以避免该过程的发生，而且也因为这样，后续功能层材料的选择也会受到其可选溶剂的限制。

因此，现有的QLED器件存在由于量子点发光层成膜不均匀、结构松散、容易出现团聚和覆盖不全等造成的器件发光不均匀和器件不稳定等问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种QLED器件及其制备方法，旨在解决现有的QLED器件存在由于量子点发光层成膜不均匀、结构松散、容易出现团聚和覆盖不全等造成的器件发光不均匀和器件不稳定等问题。

本发明提供了一种QLED器件，所述器件包括依次设置的衬底、底电极、第一功能层、发光层、第二功能层以及顶电极，所述发光层包括：

设置在所述第一功能层上的碳材料层，且所述碳材料层在背离所述第一功能层的表面含有活性官能团；

设置在所述碳材料层表面的有机金属化合物层，且所述有机金属化合物层通过所述活性官能团与所述碳材料层连接；

设置在所述有机金属化合物层上的量子点层，且所述量子点层与所述有机金属化合物层连接。

本发明还提供了一种QLED器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

在衬底上依次沉积底电极和第一功能层；

在所述第一功能层上沉积表面带活性官能团的碳材料层，在所述碳材料层上沉积有机金属化合物层，使所述有机金属化合物层与所述碳材料层表面的活性官能团连接并于所述有机金属化合物层上沉积量子点层，得到发光层；或提供表面带活性官能团的碳材料层，在所述碳材料层上沉积有机金属化合物层，使所述有机金属化合物层与所述碳材料层表面官能团连接形成复合层，将所述复合层沉积于所述第一功能层上并于所述复合层的所述有机金属化合物层上沉积量子点，得到发光层；

在所述发光层上依次沉积第二功能层和顶电极。