[发明专利]FINFET及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

在衬底的上方形成具有多个部件的图案化的掩模层，相邻所述部件之间的间距恒定；

去除所述多个部件的部分；

在衬底上形成第一有源鳍结构和第二有源鳍结构；

在所述衬底上形成伪鳍结构，所述伪鳍结构介于所述第一有源鳍结构和所述第二有源鳍结构之间，所述第一有源鳍结构、所述第二有源鳍结构、所述伪鳍结构具有对应于所述多个部件的另一部分的图案，所述多个部件的去除的部分位于所述伪鳍结构和第一有源鳍结构、以及所述伪鳍结构和所述第二有源鳍结构之间的位置处；

去除所述伪鳍结构以暴露所述衬底的第一部分，所述衬底的第一部分直接设置在所述伪鳍结构之下；

完全去除所述伪鳍结构之后，在所述衬底的第一部分上形成多个突起部件，所述多个突起部件的数量少于在完全去除所述伪鳍结构之前的所述伪鳍结构中的伪鳍的数量；以及

在所述衬底的第一部分上方形成浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区覆盖所述多个突起部件，所述第一有源鳍结构的至少部分和所述第二有源鳍结构的至少部分在所述浅沟槽隔离区的最高表面之上延伸。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述伪鳍结构包括：

保护所述第一有源鳍结构和所述第二有源鳍结构；以及

蚀刻所述伪鳍结构持续了第一时间间隔。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述多个突起部件包括蚀刻所述衬底的第一部分持续了第二时间间隔。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二时间间隔与所述第一时间间隔的比率介于0.1和1.5之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个突起部件中的第一突起部件的高度等于所述多个突起部件中的第二突起部件的高度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个突起部件中的第一突起部件的高度不同于所述多个突起部件中的第二突起部件的高度。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，蚀刻所述伪鳍结构和蚀刻所述衬底的第一部分的蚀刻工艺不同。

8.根据权利要求3所述的方法，其中，使用不同的蚀刻工艺气体混合物执行对所述伪鳍结构和对所述衬底的第一部分的蚀刻。

9.一种形成半导体结构的方法，包括：

在衬底上形成第一有源基底和第二有源基底；

在所述衬底上形成伪基底，所述伪基底介于所述第一有源基底和所述第二有源基底之间；

在所述第一有源基底上形成多个第一有源鳍；

在所述第二有源基底上形成多个第二有源鳍；

在所述伪基底上形成多个伪鳍，相邻的所述伪鳍与第一有源鳍之间的间距大于相邻的所述第一有源鳍之间的间距、以及相邻的所述伪鳍与第二有源鳍之间的间距大于相邻的所述第二有源鳍之间的间距；

对所述多个伪鳍和所述伪基底实施第一蚀刻工艺，以去除所述多个伪鳍和所述伪基底并且在所述衬底中形成凹槽；

对所述凹槽的底部实施第二蚀刻工艺以在所述凹槽的底部上形成多个突起部件，所述多个突起部件的数量等于去除的所述多个伪鳍的数量，所述多个突起部件包括第一突起部件、第二突起部件和第三突起部件，所述第二突起部件位于所述第一突起部件和所述第三突起部件之间，所述第二突起部件的高度小于所述第一突起部件和所述第三突起部件的高度；以及

在所述凹槽中形成浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区的最顶面位于所述多个第一有源鳍的最顶面和所述多个第二有源鳍的最顶面之下。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在实施所述第一蚀刻工艺之前，在所述多个第一有源鳍、所述多个第二有源鳍和所述多个伪鳍上方形成掩模层；以及

图案化所述掩模层以暴露所述多个伪鳍。