[发明专利]FINFET及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成图案化的掩模堆叠件，保护所述衬底的所述图案化的掩模堆叠件的部件具有均匀的宽度；

去除由所述图案化的掩模堆叠件暴露的所述衬底的未保护部分以在所述衬底中形成多个凹槽，插入在邻近的所述凹槽之间的所述衬底的未去除部分形成多个鳍，其中，去除所述衬底的所述未保护部分包括使用所述图案化的掩模堆叠件作为蚀刻掩模，对所述衬底实施第一蚀刻工艺，其中，在所述第一蚀刻工艺之后，相同组的内部的鳍的顶部宽度小于所述相同组的外围的鳍的顶部宽度，其中，所述多个鳍形成多个组，所述多个组的每个包括至少三个鳍；以及

去除所述多个鳍的部分，所述多个鳍的第一鳍的宽度小于所述多个鳍的第二鳍的宽度，其中，去除所述多个鳍的所述部分包括使用所述图案化的掩模堆叠件作为蚀刻掩模，对所述多个鳍实施第二蚀刻工艺，并且其中，所述第一蚀刻工艺的各向异性小于所述第二蚀刻工艺，其中，所述第二蚀刻工艺的蚀刻工艺气体的第二混合物包括使得所述衬底的化学蚀刻速率小于所述衬底的轰击蚀刻速率的蚀刻工艺气体，使得所述多个鳍的顶部宽度在所述第二蚀刻工艺前后保持不变。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括减小所述第一鳍的高度和所述第二鳍的高度，其中，所述第一鳍的高度比所述第二鳍的高度减少更大量。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，实施所述第一蚀刻工艺持续第一时间间隔，其中，实施所述第二蚀刻工艺持续第二时间间隔，并且其中，所述第一时间间隔与所述第二时间间隔不同。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，使用不同的蚀刻剂实施所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在去除所述衬底的所述未保护部分之前，使用所述图案化的掩模堆叠件作为蚀刻掩模的同时，蚀刻所述衬底的顶面上的原生氧化物层。

6.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成图案化的掩模堆叠件，保护所述衬底的所述图案化的掩模堆叠件的部件具有均匀的宽度；

使用所述图案化的掩模堆叠件作为蚀刻掩模，对所述衬底实施第一蚀刻工艺，所述第一蚀刻工艺在所述衬底中形成多个沟槽，插入在邻近的沟槽之间的所述衬底的部分形成多个鳍，其中，在所述第一蚀刻工艺之后，相同组的内部的鳍的顶部宽度小于所述相同组的外围的鳍的顶部宽度，其中，所述多个鳍形成多个组，所述多个组的每个包括至少三个鳍；以及

使用所述图案化的掩模堆叠件作为蚀刻掩模，对所述多个鳍实施第二蚀刻工艺以重塑所述多个鳍，所述第二蚀刻工艺与所述第一蚀刻工艺不同，所述第一蚀刻工艺的各向同性大于所述第二蚀刻工艺，在所述第二蚀刻工艺之后，所述多个鳍的第一鳍的宽度小于所述多个鳍的第二鳍的宽度，其中，所述第二蚀刻工艺的蚀刻工艺气体的第二混合物包括使得所述衬底的化学蚀刻速率小于所述衬底的轰击蚀刻速率的蚀刻工艺气体，使得所述多个鳍的顶部宽度在所述第二蚀刻工艺前后保持不变。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括减小所述第一鳍的高度和所述第二鳍的高度，其中，所述第一鳍的高度比所述第二鳍的高度减少更大量。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，减小所述第一鳍的高度和所述第二鳍的高度包括去除所述图案化的掩模堆叠件。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺增大了所述多个鳍的侧壁的斜率。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二鳍的第一侧壁的斜率与所述第二鳍的第二侧壁的斜率不同。

11.根据权利要求6所述的方法，其中，在不同的温度下使用不同的蚀刻剂实施所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺。