[发明专利]一种沟槽型器件的制备方法

权利要求书

1.一种沟槽型器件的制备方法，其特征在于，包括：

步骤S1，提供包括一元胞区和一保护区的一基底，并于所述基底的上表面依次沉积一第一介质层和一第二介质层；

步骤S2，刻蚀所述第二介质层的上表面至所述基底中，以在所述元胞区形成多个第一沟槽，以及在所述保护区形成至少一个第二沟槽；

步骤S3，于所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁及底部覆盖一第三介质层；

步骤S4，于覆盖所述第三介质层的所述第一沟槽中制备第一导电层，以及于覆盖所述第三介质层的所述第二沟槽中制备第二导电层，且所述第一导电层和所述第二导电层的上表面分别低于所述基底的上表面；

步骤S5，采用第一注入工艺对所述基底的上表面进行处理，以在所述基底的上表面形成间隔的多个体区结构；

步骤S6，采用第二注入工艺对所述元胞区的每个所述体区结构进行处理，以在所述元胞区的每个所述体区结构的两侧分别形成两个源极；

步骤S7，去除所述第二介质层，并制备一第四介质层填充所述第一沟槽和所述第二沟槽并以及覆盖所述第一介质层的上表面；

步骤S8，刻蚀位于所述元胞区的所述第四介质层至所述体区结构的上表面，使得位于所述元胞区的所述体区结构的上表面暴露；

步骤S9，刻蚀位于所述保护区的所述第四介质层形成连接所述第二导电层的接触孔，以及采用第三注入工艺对位于所述元胞区的暴露出的所述体区结构的上表面进行处理形成欧姆接触结构；

步骤S10，采用一第一金属层填充所述接触孔，以及采用一第二金属层连接覆盖所述源极以及所述欧姆接触结构的上表面。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽的宽度为0.2～0.5μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，采用氧化硅制备形成所述第一介质层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，采用氮化硅制备形成所述第二介质层。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，采用化学气相沉积工艺制备形成所述第二介质层。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体为：

步骤S31，于所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁及底部覆盖一牺牲层；

步骤S32，采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除所述牺牲层；

步骤S33，采用退火工艺对所述第一沟槽和所述第二沟槽处理，形成覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁及底部的所述第三介质层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为200～1250A；以及

所述第三介质层的厚度为150～1000A。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4具体为：

步骤S41，沉积一导电预制备层填充所述第一沟槽和所述第二沟槽；

步骤S42，刻蚀所述导电预制备层至所述基底的上表面的下方，以在所述第一沟槽中制备形成所述第一导电层，以及在所述第二沟槽中制备形成所述第二导电层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一导电结构和所述第二导电结构分别低于所述基底的上表面0.1～0.5μm。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第四介质层的厚度为0.5～1.0μm。