[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质有效
| 申请号： | 201710648342.8 | 申请日： | 2017-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN107680898B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 宫仓敬弘;森谷敦;中矶直春;芳贺健佑 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065;C23C16/24;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 处理 存储 介质 | ||
本申请涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质。本发明所要解决的课题是，提高基板上形成的Si膜的膜质。作为解决上述课题的手段，提供一种半导体装置的制造方法，其具有：在处理室内的基板上形成第1非晶硅膜的工序；以及，在处理室内，在维持第1非晶硅膜的非晶状态的温度下，使用氯化氢气体对第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序。
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质。
背景技术
作为半导体装置(Device)的制造工序的一道工序，有时进行在基板上形成硅膜(Si膜)的处理(例如参照专利文献1、2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-218036号公报
专利文献2：日本特开2003-218037号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的目的在于，提供能够提高基板上形成的Si膜的膜质的技术。
用于解决课题的方法
根据本发明的一个方式，提供一种半导体装置的制造方法，其具有：
在处理室内的基板上形成第1非晶硅膜的工序，以及
在上述处理室内，在维持上述第1非晶硅膜的非晶状态的温度下，使用氯化氢气体对上述第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序。
发明的效果
根据本发明，能够提高基板上形成的Si膜的膜质。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式中适宜使用的基板处理装置的立式处理炉的概要构成图，是将处理炉部分用纵剖面图表示的图。
图2是本发明的一个实施方式中适宜使用的基板处理装置的立式处理炉的概要构成图，是将处理炉部分用图1的A-A线剖面图表示的图。
图3是本发明的一个实施方式中适宜使用的基板处理装置的控制器的概要构成图，是将控制器的控制系统用框图表示的图。
图4是显示本发明的一个实施方式的成膜序列中气体供应时机等的图。
图5中，(a)是显示播种阶段开始前的晶圆的表面结构的剖面图，(b)是显示播种阶段结束后的晶圆的表面结构的剖面图，(c)是显示第1成膜阶段结束后的晶圆的表面结构的剖面图，(d)是显示蚀刻阶段结束后的晶圆的表面结构的剖面图，(e)是显示第2成膜阶段结束后的晶圆的表面结构的剖面图。
图6是显示蚀刻速率的评价结果的图。
符号说明
121 控制器(控制部)
200 晶圆(基板)
200h Si膜(第1非晶硅膜)
200i Si膜(第1非晶硅膜)
201 处理室
202 处理炉
203 反应管
207 加热器
250a、250b 气体供应孔
249a、249b 喷嘴
217 晶圆盒
267 旋转机构
263 温度传感器
218 绝热板
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
