[发明专利]一种P型双面晶硅电池的制作方法有效
| 申请号： | 201710649732.7 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN107359112B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张东;张大雨;马立元;杨雄磊 | 申请（专利权）人： | 巨力新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人： | 张海青 |
| 地址： | 072550*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双面 电池 制作方法 | ||
1.一种P型双面晶硅电池的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
A、硅片双面进行碱制绒；
B、将含有固态杂质氧化硼的硼浆印刷到制绒后的硅片背面，硼浆距离硅片边缘0.5-1mm，硼浆的厚度0.1-0.5mm；
C、将背面印刷好硼浆的硅片采用辊道式链式扩散炉进行水平链式扩散；
D、将水平链式扩散好的硅片背面用10%-15%的氢氧化钾和1%-5%的双氧水混合溶液进行碱清洗；
E、将碱清洗后的硅片用10%-15%的氢氟酸和10%-15%的盐酸混合溶液进行酸清洗；
F、将含有P2O5固态杂质的磷浆印刷到酸清洗后的硅片正面，磷浆距硅片边缘0.5-1mm，磷浆的厚度0.1-0.5mm；
G、将印刷好磷浆的硅片采用辊道式链式扩散炉进行水平链式扩散；
H、将水平链式扩散后的硅片用10%-15%的盐酸溶液进行酸清洗，然后再用去离子水清洗、烘干；
I、对烘干后硅片双面镀氮化硅减反射膜；
J、对硅片双面印刷正银电极；
K、对硅片进行烧结。
2.根据权利要求1所述的一种P型双面晶硅电池的制作方法，其特征在于：所述步骤C中，所述水平链式扩散采用辊道式链式扩散炉，所述辊道式链式扩散炉分为烘干区、扩散区、冷却区，扩散区温度为850-950℃，扩散时间为10-45min；冷却区温度为150-250℃，带速为50-100m/min；硼扩散的方块电阻为80-100Ω。
3.根据权利要求1所述的一种P型双面晶硅电池的制作方法，其特征在于：所述步骤G中，所述水平链式扩散采用辊道式链式扩散炉，所述辊道式链式扩散炉分为烘干区、扩散区、冷却区，扩散区温度为750-900℃，扩散时间为10-45min；冷却区温度150-250℃，带速为50-100m/min；磷扩散的方块电阻为80-100Ω。
4.根据权利要求1所述的一种P型双面晶硅电池的制作方法，其特征在于：所述步骤I中,所述双面氮化硅减反射膜厚度均为70-90nm，折射率均为2.00-2.10。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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