[发明专利]芯片附接方法和基于这种方法制造的半导体装置有效
| 申请号： | 201710650631.1 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN107689357B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | G·R·加尔宾;C·W·李;J·马勒;B·赖歇特;P·施特罗贝尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 方法 基于 这种方法 制造 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
载体；
半导体芯片；和
芯片附接材料，其布置在载体与半导体芯片之间，
其中，芯片附接材料的填角高度小于半导体芯片的高度的95％，所述填角高度是半导体芯片的侧表面的被芯片附接材料覆盖的部分的高度，
其中，芯片附接材料在半导体芯片的朝着芯片附接材料的主表面的边缘之外的最大延伸尺度小于200微米，
其中，芯片附接材料的热导率大于0.5W/(m·K)，
其中，芯片附接材料包括导电和导热填充颗粒中的至少一种以及聚合材料，以及
其中，填充颗粒的直径大于50纳米、小于9微米。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，芯片附接材料在半导体芯片的侧表面处形成填角。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述填角具有弯月面的形状。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，半导体芯片的高度小于400微米。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，芯片附接材料的平均粘合层厚度处于10微米至80微米范围内。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，半导体芯片或芯片附接材料的倾斜度小于15微米。
7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，芯片附接材料在半导体芯片的朝着芯片附接材料的主表面的边缘之外在该边缘的整个长度的50％以上延伸。
8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，填充颗粒包括银、铜、镍、金、铝、它们的混合物中的至少一种。
9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，填充颗粒包括二氧化硅、氧化铝、矾土、氮化硼、碳化硅、氮化镓、它们的混合物中的至少一种。
10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述载体包括衬底。
11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述载体包括引线、芯片焊盘、引线框架、印刷电路板、陶瓷、功率电子衬底中的至少一种。
12.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述载体包括镀有金属的陶瓷。
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