[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于：具备包含电源保护电路的第1芯片，

所述电源保护电路包含：

第1焊盘；

第2焊盘，被供给第1电压；

第3焊盘，被供给低于所述第1电压的第2电压；

电阻，包含与所述第2焊盘电连接的第1端；

第1电容器，包含与所述电阻的第2端电连接的第1端；

第1晶体管，包含与所述第2焊盘电连接的第1端、与具有基于所述第1电容器的第1端的电压的值的信号的节点电连接的第2端、及与所述第1焊盘电连接的栅极；

第1反相器，包含与所述第1晶体管的第2端电连接的输入端；及

第2晶体管，电连接于所述第2焊盘与所述第3焊盘之间，且包含与所述第1反相器的输出端电连接的栅极。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电源保护电路更包含：

第3晶体管，包含与所述第1焊盘电连接的第1端、与所述第3焊盘电连接的第2端、及与所述第2焊盘电连接的栅极；及

第2电容器，包含与所述第1焊盘电连接的第1端、及与所述第3焊盘电连接的第2端。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电源保护电路更包含第4晶体管，该第4晶体管包含与所述第2焊盘电连接的第1端、与所述第1电容器的第1端电连接的第2端、及与所述第1焊盘电连接的栅极。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1芯片包含具备所述电源保护电路的多个电源保护电路，且

多个所述电源保护电路分别共用所述第3晶体管及所述第2电容器。

5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：

更具备包含所述电源保护电路的第2芯片，

所述第1芯片的所述第1焊盘被供给所述第1电压，

所述第2芯片的所述第1焊盘自所述第1芯片的所述第1焊盘电分离。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1芯片及所述第2芯片设置在衬底的上方，且

所述第2芯片设置在所述第1芯片的上方。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电源保护电路更包含第2反相器，该第2反相器包含与所述第1焊盘电连接的输入端、及与所述第1晶体管的栅极电连接的输出端。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电源保护电路更包含：

第3晶体管，包含与所述第1焊盘电连接的第1端、与所述第3焊盘电连接的第2端、及与所述第2焊盘电连接的栅极；及

第2电容器，包含与所述第1焊盘电连接的第1端、及与所述第3焊盘电连接的第2端。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于：所述电源保护电路更包含：

第3反相器，包含与所述第1焊盘电连接的输入端；及

第4晶体管，包含与所述第2焊盘电连接的第1端、与所述第1电容器的第1端电连接的第2端、及与所述第3反相器的输出端电连接的栅极。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于：

更具备包含所述电源保护电路的第2芯片，

所述第1芯片的所述第1焊盘自所述第2芯片的所述第1焊盘电分离，

所述第2芯片的所述第1焊盘被供给所述第1电压。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1芯片及所述第2芯片设置在衬底的上方，且

所述第2芯片设置在所述第1芯片的上方。