[发明专利]SRAM存储器及其形成方法

说明书

一种SRAM存储器及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上有相邻的第一鳍部和第二鳍部、及覆盖第一鳍部部分侧壁的隔离层，隔离层暴露出的第一鳍部包括第一置换区；形成下拉晶体管的方法包括：形成横跨第一鳍部的下拉栅极结构，第一置换区位于下拉栅极结构两侧；在第一置换区的侧壁形成位于隔离层表面的鳍侧墙膜；在隔离层上形成覆盖鳍侧墙膜的侧壁且暴露出第一置换区顶部表面的第一下拉介质层；之后去除第一鳍部的第一置换区、以及第一置换区侧壁的鳍侧墙膜，形成第一槽；在第一槽中形成第一源漏掺杂层；形成邻置晶体管的方法包括：在第二鳍部中形成与第一源漏掺杂层相邻的第二源漏掺杂层。所述方法提高了SRAM存储器性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种SRAM存储器及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，存储器呈现出高集成度、快速、低功耗的发展趋势。

从功能上将存储器分为随机存储器(RAM，Random Access Memory)和只读存储器(ROM，Read Only Memory)。随机存储器工作时，可以随时从任何一个指定的地址读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元。随机存储器的读写操作方便，使用灵活。

随机存储器可以分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)。其中，静态随机存储器利用带有正反馈的触发器来实现存储数据，主要依靠持续的供电来保持数据的完整性。静态随机存储器在使用过程中不需要刷新。静态随机存储器已被广泛应用在计算机的高速缓存和频繁的数据处理中。

然而，现有技术中静态随机存储器的电学性能较差。

发明内容

本发明解决的问题是提高一种SRAM存储器及其形成方法，以提高SRAM存储器的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种SRAM存储器的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有相邻的第一鳍部和第二鳍部、以及覆盖第一鳍部部分侧壁的隔离层，隔离层暴露出的第一鳍部包括第一置换区；形成下拉晶体管，形成下拉晶体管的方法包括：形成横跨第一鳍部的下拉栅极结构，下拉栅极结构覆盖第一鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面，第一置换区分别位于下拉栅极结构两侧；在第一鳍部第一置换区的侧壁形成位于隔离层表面的鳍侧墙膜；在隔离层上形成第一下拉介质层，第一下拉介质层覆盖鳍侧墙膜的侧壁且暴露出第一鳍部第一置换区的顶部表面；形成第一下拉介质层后，去除第一鳍部的第一置换区、以及第一置换区侧壁的鳍侧墙膜，形成第一槽；在第一槽中形成第一源漏掺杂层；形成邻置晶体管，形成邻置晶体管的方法包括：在第二鳍部中形成第二源漏掺杂层，第二源漏掺杂层与第一源漏掺杂层相邻。

可选的，去除第一鳍部的第一置换区、以及第一置换区侧壁的鳍侧墙膜的步骤包括：去除第一鳍部的第一置换区，形成第一初始槽；去除第一初始槽侧壁的鳍侧墙膜，形成第一槽。

可选的，形成所述第一源漏掺杂层的工艺包括外延生长工艺。

可选的，所述鳍侧墙膜的厚度为第一置换区宽度的15％～30％，第一置换区的宽度为第一置换区在垂直于第一鳍部延伸方向且平行于半导体衬底表面方向上的尺寸。

可选的，所述第一置换区的宽度为5nm～15nm；相邻第一鳍部和第二鳍部之间的距离为5nm～45nm；所述鳍侧墙膜的厚度为3nm～10nm。

可选的，形成下拉晶体管的方法还包括：在第一源漏掺杂层和第一下拉介质层上形成第二下拉介质层；形成贯穿第二下拉介质层的下拉凹槽，下拉凹槽暴露出第一源漏掺杂层的顶部表面；在下拉凹槽中形成下拉插塞。

可选的，所述邻置晶体管包括上拉晶体管。

可选的，所述下拉晶体管的类型为N型；所述上拉晶体管的类型为P型。