[发明专利]OLED显示面板及其制作方法、OLED显示装置有效
申请号: | 201710651391.7 | 申请日: | 2017-08-02 |
公开(公告)号: | CN107482038B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 王涛;张嵩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种OLED显示面板,包括平整区域和弯曲区域,其特征在于,所述OLED显示面板包括分布在所述平整区域和所述弯曲区域内的多个发光元件;其中,位于所述弯曲区域内的发光元件的阳极与阴极之间的距离大于位于所述平整区域内的发光元件的阳极与阴极之间的距离;
所述弯曲区域内的阳极与阴极之间形成有至少一层功能膜层,所述平整区域内的阳极与阴极之间形成有至少一层功能膜层;
其中,所述弯曲区域内的阳极与阴极之间还形成有第二加厚层,所述第二加厚层为光栅,所述光栅的高度为50nm~60nm,所述光栅的周期为1μm~10μm。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第二加厚层位于所述弯曲区域内的阳极与功能膜层之间,或,所述第二加厚层位于所述弯曲区域内的功能膜层与阴极之间。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述光栅内填充有空穴注入材料或空穴传输材料,或,所述光栅内填充有电子注入材料或电子传输材料。
4.一种OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述OLED显示面板的制作方法应用于如权利要求1~3任一项所述的OLED显示面板中,所述OLED显示面板的制作方法包括:
提供一衬底基板,所述衬底基板上包括第一区域和第二区域,其中,所述第一区域对应所述OLED显示面板的弯曲区域,所述第二区域对应所述OLED显示面板的平整区域;
在所述衬底基板上的所述第一区域和所述第二区域内形成多个发光元件,且所述第一区域内的发光元件的阳极与阴极之间的距离大于所述第二区域内的发光元件的阳极与阴极之间的距离;
其中,所述在所述衬底基板上的所述第一区域和所述第二区域内形成多个发光元件,且所述第一区域内的发光元件的阳极与阴极之间的距离大于所述第二区域内的发光元件的阳极与阴极之间的距离包括:
在所述衬底基板上的所述第一区域和所述第二区域内形成多个阳极,多个所述阳极与多个像素一一对应;
在所述第一区域内的阳极背向所述衬底基板的表面形成至少一层功能膜层,在所述第二区域内的阳极背向所述衬底基板的表面形成至少一层功能膜层;其中,
在所述第一区域内的阳极背向所述衬底基板的表面形成第二加厚层和至少一层功能膜层,在所述第二区域内的阳极背向所述衬底基板的表面形成至少一层功能膜层;形成阴极,所形成的阴极覆盖所述第一区域内的所述第二加厚层和至少一层功能膜层、以及覆盖所述第二区域内的至少一层功能膜层,所述第二加厚层为光栅,所述光栅的高度为50nm~60nm,所述光栅的周期为1μm~10μm。
5.根据权利要求4所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述第一区域内的阳极背向所述衬底基板的表面形成第二加厚层和至少一层功能膜层,在所述第二区域内的阳极背向所述衬底基板的表面形成至少一层功能膜层包括:
在所述第一区域内的阳极背向所述衬底基板的表面形成第二加厚层;
在所述第二加厚层背向所述阳极的表面、以及在所述第二区域内的阳极背向所述衬底基板的表面,形成至少一层功能膜层;
或,在所述第一区域和所述第二区域内的阳极背向所述衬底基板的表面,形成至少一层功能膜层;
在所述第一区域内的功能膜层背向所述阳极的表面形成第二加厚层。
6.一种OLED显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~3任一项所述的OLED显示面板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710651391.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的