[发明专利]一种GaN异质结纵向逆导场效应管

权利要求书

1.一种GaN异质结逆导场效应管，包括从下至上依次层叠设置的漏电极(11)、N型衬底(1)、N型漂移区(2)、AlMN层(5)和有源区，所述N型漂移区(2)和AlMN层(5)构成异质结；所述N型漂移区(2)中的左右两边均具有P型基区(3)，且P型基区(3)以N型漂移区(2)的垂直中线呈对称分布；在所述的左右两边的P型基区(3)之间的具有JFET区(12)，在所述P型基区(3)与所述AlMN层(5)之间的具有沟道区(9)；器件的有源区包括源电极(4)、栅电极(7)和肖特基阳极(8)，其中，所述肖特基阳极(8)位于JFET区(12)正上方，且肖特基阳极(8)呈“T”字形，肖特基阳极(8)的垂直中线与器件垂直中线重合，有源区以肖特基阳极(8)的垂直中线呈完全对称分布结构；所述源电极(4)位于器件上表面两侧，且源电极(4)贯穿AlMN层(5)与沟道区(9)成欧姆接触；栅电极(7)位于源电极(4)和肖特基阳极(8)之间，在栅电极(7)和AlMN层(5)之间还具有P型GaN栅区(6)，P型GaN栅区(6)嵌入AlMN层(5)上层形成凹槽(13)；在源电极(4)、栅电极(7)和肖特基阳极(8)之间填充有钝化层(10)，所述源电极(4)的上层沿钝化层(10)上表面向靠近肖特基阳极(8)的方向延伸，栅电极(7)上层沿钝化层(10)上表面向两侧延伸；所述AlMN层(5)中M为Ga、In和Ga与In的混合物中的一种。

2.根据权利要求1所述的一种GaN异质结逆导场效应管，其特征在于，所述肖特基阳极(8)下方的AlMN层(5)的厚度大于10nm。

3.根据权利要求1或2所述的一种GaN异质结逆导场效应管，其特征在于，所述钝化层(10)为SiO₂、Si₃N₄、AlN、Al₂O₃、MgO和HfO₂中的一种。

4.根据权利要求3所述的一种GaN异质结逆导场效应管，其特征在于，所述凹槽(13)的深度在0到20nm之间。