[发明专利]纳米金属氧化物薄膜的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种用作空穴注入层的纳米金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供金属粉末，将所述金属粉末加入到反应介质中，形成分散液，所述反应介质为醇类，所述分散液中所述金属粉末的浓度为1-3mol/L；

按照所述金属粉末与氧化剂的摩尔比为2：1～3：1的比例，在所述分散液中加入氧化剂，反应制备前驱体溶液，其中，所述氧化剂的标准电极电势＞+1.23V；

将所述前驱体溶液沉积在基片上，退火处理得到纳米金属氧化物薄膜，所述退火处理的温度为100-200℃。

2.如权利要求1所述的纳米金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化剂为过氧化氢、过氧化钠、次氯酸、次氯酸钠中的至少一种。

3.如权利要求1所述的纳米金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，以所述分散液的体积为10-20mL计，所述氧化剂的加入速度为0.2～0.5mL/min。

4.如权利要求1-2任一项所述的纳米金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，制备所述前驱体溶液的方法为：在第一搅拌速度下，向所述分散液中加入氧化剂，待所述氧化剂加入完毕后，将搅拌速率调整为第二搅拌速度，继续搅拌处理，得到前驱体溶液，其中，所述第一搅拌速度不超过1200rpm，且所述第二搅拌速度大于所述第一搅拌速度。

5.如权利要求1-2任一项所述的纳米金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，采用溶液加工法将所述前驱体溶液沉积在所述基片上。

6.如权利要求1-2任一项所述的纳米金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，沉积所述前驱体溶液之前，还包括采用0.5μm的滤头进行过滤处理。

7.一种用作空穴注入层的纳米金属氧化物薄膜，其特征在于，所述纳米金属氧化物薄膜由权利要求1-6任一项所述方法制备获得。

8.一种QLED器件，其特征在于，包括依次设置的衬底、ITO、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子注入/传输层和阴极，且所述空穴注入层为采用权利要求1-6任一项所述方法制备获得的纳米金属氧化物薄膜。