[发明专利]正性光刻胶组合物、过孔的形成方法、显示基板及显示装置

权利要求书

1.一种正性光刻胶组合物，所述正性光刻胶组合物包括，主体胶材、光敏剂；其特征在于，所述光刻胶组合物还包括，光致异构化合物；所述光致异构化合物受到紫外光照射后结构转变为分子极性程度增加的离子结构；

所述光致异构化合物包括螺吡喃化合物、氮丙啶化合物、联吡啶化合物中的至少一种；

所述氮丙啶化合物的结构通式为，

其中，所述R基团为C₂H₄OH；

所述螺吡喃化合物的结构式为，

其中，n为整数，且4≤n≤10；所述R基团包括羧基或羟基；

所述联吡啶化合物的结构通式为，

其中，所述R₁基团包括氢、甲基、乙基、丙基、丁基、醚链中的任一种；所述R₂基团包括羧甲基、羧乙基、羧丙基中的任一种；所述R₃基团包括氢、甲基、乙基、丙基、丁基、醚链中的任一种；所述R₄基团包括羧甲基、羧乙基、羧丙基中的任一种。

2.根据权利要求1所述的正性光刻胶组合物，其特征在于，所述正性光刻胶组合物还包括溶剂和添加剂；其中，

所述主体胶材占所述正性光刻胶组合物总重量的5％～30％；

所述光敏剂占所述正性光刻胶组合物总重量的2％～5％；

所述光致异构化合物占所述正性光刻胶组合物总重量的0.1％～2％；

所述添加剂占所述正性光刻胶组合物总重量的0.1％～1％；

所述溶剂占所述正性光刻胶组合物总重量的62％～92.8％。

3.根据权利要求2所述的正性光刻胶组合物，其特征在于，

所述主体胶材为酚醛树脂；

和/或，

所述光敏剂为重氮萘醌型光敏剂；

和/或，

所述溶剂为N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、丙二醇单甲醚乙酸酯、乙酸乙氧乙酯、二甲氧基乙醛中的任一种。

4.一种过孔的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括，

在基板上依次形成钝化层和有机膜层；所述有机膜层上具有露出所述钝化层的区域；

形成覆盖所述有机膜层和所述钝化层的光刻胶层；所述光刻胶层由权利要求1至3任一项所述的正性光刻胶组合物构成，且所述有机膜层与所述正性光刻胶组合物受光照前的极性相似；

采用构图工艺对所述光刻胶层和露出的所述钝化层进行处理，形成贯穿钝化层的过孔，覆盖在所述有机膜层以及被所述有机膜层露出的所述钝化层上的光刻胶保留部分；

对所述光刻胶保留部分进行紫外光照射，以使所述正性光刻胶组合物中的光致异构化合物的结构转变为分子极性程度增加的离子结构；

通过剥离液去除所述光刻胶保留部分。

5.根据权利要求4所述的过孔的形成方法，其特征在于，

所述紫外光照射的波长范围为330～380nm，光照强度为1～10mW/CM²。

6.一种过孔的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括，

在基板上依次形成有机膜层、光刻胶层；其中，所述光刻胶层由权利要求1至3任一项所述的正性光刻胶组合物构成；所述有机膜层与所述正性光刻胶组合物受光照前的极性相似；

采用构图工艺对所述光刻胶层和所述有机膜层进行处理，形成贯穿所述有机膜层的过孔和覆盖在所述有机膜层除所述过孔所在区域之外的光刻胶保留部分；

对所述光刻胶保留部分进行紫外光照射，以使所述正性光刻胶组合物中的光致异构化合物的结构转变为分子极性程度增加的离子结构；

通过剥离液去除所述光刻胶保留部分。

7.根据权利要求6所述的过孔的形成方法，其特征在于，

所述紫外光照射的波长范围为330～380nm，光照强度为1～10mW/CM²。

8.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板上的过孔采用如权利要求4至5，或6至7任一项所述的过孔的形成方法形成。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所示的显示基板。