[发明专利]质谱仪

说明书

本发明公开了一种质谱仪，包括MCU、D/A变换器、功率放大器、功率MOSFET、功率MOSFET驱动器、变压器、离子状态控制装置、离子选择装置、离子阱，相互间电连。本发明质谱仪为数字离子阱，运行可靠，使用寿命长。

技术领域

本发明涉及一种质谱仪。

背景技术

离子阱质谱仪最初是模拟电子技术方式的，例如四极杆离子阱质谱仪。驱动离子阱的电压信号是模拟信号方式的，是交流变化的电压信号。这种质谱仪的测量范围和测量精度也是很高的。上个世纪七十年代，随着数字电子技术的逐渐兴起，数字离子阱质谱仪逐渐兴起。由于半导体技术的制约，数字离子阱质谱仪一直处在实验研究的阶段，并没有形成一个稳定的市场。目前数字离子阱普遍采用的是2000V的高电压开关驱动方式，这种方法的EMC和EMI干扰很强，经常引起自身电子电路和周围其它电子仪器的故障，而且这种高压电子开关经常损坏。

发明内容

本发明的目的在于：为解决以上问题提供一种运行可靠的、使用寿命长的、功能更强大的质谱仪。

本发明采用的技术方案是这样的：

一种质谱仪，包括控制器、D/A变换器、功率放大器、功率MOSFET、功率MOSFET驱动器、变压器、离子状态控制装置、离子选择装置、离子阱，所述控制器与D/A变换器相连接，D/A变换器和功率放大器连接，功率放大器接变压器初级的A引脚，功率MOSFET的一端连接到变压器的初级的B引脚，功率MOSFET另一端连接到直流电源地，功率MOSFET的控制端连接到控制器，离子状态控制装置与控制器相连接，离子状态控制装置与离子选择装置相连接，离子选择装置与离子阱相连接，离子状态控制装置与离子阱相连接。

进一步地，所述控制器为DSP或MCU或FPGA。

进一步地，所述变压器可由互感线圈替换。

综上所述，由于采用上述技术方案，本发明的有益效果是：

本发明采用脉冲方波数字方式的离子阱驱动电压，由于脉冲方波的占空比是可以调整的，所以这种质谱仪有其它类型质谱仪所不能实现的功能，也是其他质谱仪所不能替代的，运行稳定可靠，使用寿命长。

附图说明

图1为本发明的结构连接图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。

如图1所示，控制器与D/A变换器相连接，数字信号从控制器输出到D/A变换器，变成模拟信号，这个模拟信号通过功率放大器变成变压器初级的驱动信号，连接变压器初级的A引脚，功率MOSFET的一端连接到变压器或者互感线圈的初级的B引脚，功率MOSFET另一端连接到直流电源地，功率MOSFET的控制端连接到MOSFET驱动电路，MOSFET驱动电路连接到控制器，此功率MOSFET的导通与闭合由控制器输出的周期频率信号控制，离子状态控制装置与控制器相连接，实现离子的引入和离子的出射及离子的选择，离子选择装置与离子阱在机械结构上相连接，离子选择装置与控制器相连接，离子状态控制装置与离子阱相连接。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。