[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：

存储阵列，通过可逆性且非易失性的可变电阻元件来存储数据；

擦除单元，在响应来自外部的擦除指令，擦除所述存储阵列的选择的区块时，不变更所述区块的数据，而是设定表示所述区块是否为擦除状态的第一标志数据；以及

读取单元，响应来自外部的读取指令，输出所述存储阵列的选择的字的读取数据，

其中，所述读取单元在所述第一标志数据表示所述擦除状态时，无论所述选择的字中所存储的数据为何，均输出表示所述擦除的数据做为所述读取数据，以及

所述读取单元在所述第一标志数据表示非擦除状态时，输出所述选择的字中所存储的数据，或所述数据的反向转换数据做为所述读取数据。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述半导体存储装置还包括编程单元，所述编程单元响应来自外部的编程指令，将输入数据编程至所述存储阵列的选择的字，所述编程单元将所述第一标志数据设定为所述非擦除状态。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述编程单元对所述选择的字中所存储的数据与所述输入数据进行比较，并根据比较结果，将所述输入数据或所述输入数据的反向转换数据编程至所述选择的字，且设定用以对用于编程的数据进行判别的第二标志数据。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述编程单元根据所述比较结果，对所述选择的字的不一致的数据进行反转。

5.根据权利要求3或4所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述输入数据与所述选择的字中所存储的数据之间的不一致的比例为不足50%的情况下，将所述输入数据编程至所述选择的字，在50%以上的情况下，将所述反向转换数据编程至所述选择的字，所述第二标志数据表示已对所述输入数据或所述输入数据的反向转换数据进行编程。

6.根据权利要求3或4所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述读取单元还基于所述第二标志数据，输出所述选择的字的数据或所述数据的反向转换数据。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述存储阵列包括存储所述第一标志数据及第二标志数据的标志区域，所述标志区域与存储单元的各字对应地设置。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述擦除指令、编程指令及所述读取指令是与闪速存储器具有兼容性的指令。

9.一种半导体存储装置，其特征在于包含能够进行随机存取的非易失性的存储器元件，且能够将所述存储器元件的数据从“0”改写为“1”或从“1”改写为“0”，所述半导体存储装置包括：

擦除单元，在响应来自外部的擦除指令，擦除所述存储器元件的选择的区块时，不变更所述区块的数据，而是设定表示所述区块是否为擦除状态的第一标志数据；以及

读取单元，响应来自外部的读取指令，输出所述存储器元件的选择的字的读取数据，

其中，所述读取单元在所述第一标志数据表示所述擦除状态时，无论所述选择的字中所存储的数据为何，均输出表示所述擦除的数据做为所述读取数据，以及

所述读取单元在所述第一标志数据表示非擦除状态时，输出所述选择的字中所存储的数据，或所述数据的反向转换数据做为所述读取数据。