[发明专利]一种自修复抗氧化的碳化硅浇注料及其制备方法

权利要求书

1.一种自修复抗氧化的碳化硅浇注料的制备方法，其特征在于以75~95wt%的碳化硅、1~8wt%的炭黑、0.1~8wt%的单质硅粉、0.5~6wt%的硅微粉和0.1~4wt%的单质锆为原料，再加入所述原料0.1~0.3wt%的减水剂，混合均匀，即得到预混料；然后向所述预混料中加入所述原料5~15wt%的硅溶胶，搅拌均匀，制得自修复抗氧化的碳化硅浇注料。

2.根据权利要求1所述的自修复抗氧化的碳化硅浇注料的制备方法，其特征在于所述碳化硅的SiC含量≥98wt%；所述碳化硅的颗粒级配是：

粒径小于5mm且大于等于3mm占碳化硅10~15wt%，

粒径小于3mm大于等于1mm占碳化硅30~35wt%，

粒径小于1mm且大于等于0.088mm占碳化硅20~25wt%，

粒径小于0.088mm且大于等于0.044mm占碳化硅10~15wt%，

粒径小于0.044mm占碳化硅10~15wt%。

3.根据权利要求1所述的自修复抗氧化的碳化硅浇注料的制备方法，其特征在于所述炭黑的C含量≥99wt%，所述炭黑的粒径≤38μm。

4.根据权利要求1所述的自修复抗氧化的碳化硅浇注料的制备方法，其特征在于所述单质硅粉的Si含量≥97wt%，所述单质硅粉的粒径≤38μm。

5.根据权利要求1所述的自修复抗氧化的碳化硅浇注料的制备方法，其特征在于所述硅微粉的SiO₂含量≥92wt%，所述硅微粉的粒径≤0.6μm。

6.根据权利要求1所述的自修复抗氧化的碳化硅浇注料的制备方法，其特征在于所述硅溶胶的SiO₂含量为25%~30wt%，所述硅溶胶的pH值为9~11。

7.根据权利要求1所述的自修复抗氧化的碳化硅浇注料的制备方法，其特征在于所述单质锆的Zr含量为≥99wt%，所述单质锆的粒径≤45μm。

8.根据权利要求1所述的自修复抗氧化的碳化硅浇注料的制备方法，其特征在于所述减水剂为聚醚、聚羧酸、三聚磷酸钠、四聚磷酸钠和六偏磷酸钠的一种或两种。

9.一种自修复抗氧化的碳化硅浇注料，其特征在于所述自修复抗氧化的碳化硅浇注料是根据权利要求1~8项中任一项所述的自修复抗氧化的碳化硅浇注料的制备方法所制备的自修复抗氧化的碳化硅浇注料。