[发明专利]非易失性存储器件

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

彼此间隔开的第一电极和第二电极；

选择元件层，在所述第一电极和所述第二电极之间，其与到所述第一电极相比，更靠近所述第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层，所述第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，所述第二硫族化物层包括第二硫族化物材料；以及

在所述第一电极和所述选择元件层之间的存储层，其包括不同于所述第一硫族化物材料和所述第二硫族化物材料的第三硫族化物材料，

其中所述选择元件层进一步包括在所述第一硫族化物层和所述第二硫族化物层之间的插入绝缘层。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第一硫族化物材料不同于所述第二硫族化物材料。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第一硫族化物材料和所述第二硫族化物材料是彼此相同的材料，以及

所述第一硫族化物材料的化学计量不同于所述第二硫族化物材料的化学计量。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第一硫族化物材料和所述第二硫族化物材料是彼此相同的材料，

所述第一硫族化物材料的化学计量与所述第二硫族化物材料的化学计量相同，以及

关于所述第一硫族化物材料的沉积条件不同于关于所述第二硫族化物材料的沉积条件。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第一硫族化物材料和所述第二硫族化物材料的每个包括具有砷(As)的硫族化物材料。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，其中所述第一硫族化物层和所述第二硫族化物层的至少之一用碳、氮和硼的至少之一掺杂。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述第一硫族化物材料和所述第二硫族化物材料的每个包括硒(Se)基硫族化物材料。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述选择元件层包括多个所述第一硫族化物层和多个所述第二硫族化物层，并且

所述第一硫族化物层和所述第二硫族化物层交替地堆叠。

9.一种非易失性存储器件，包括：

在第一方向上延伸且彼此平行的多条第一导电线；

在不同于所述第一方向的第二方向上延伸且彼此平行的多条第二导电线；以及

多个第一存储单元，在所述多条第一导电线和所述多条第二导电线彼此交叉的点处设置在所述第一导电线和所述第二导电线之间，

其中所述多个第一存储单元的每个包括第一选择元件层和第一存储层，

所述第一选择元件层包括具有第一硫族化物材料的第一硫族化物层和具有第二硫族化物材料的第二硫族化物层，以及

所述第一存储层包括不同于所述第一硫族化物材料和所述第二硫族化物材料的第三硫族化物材料，

其中所述第一选择元件层进一步包括在所述第一硫族化物层和所述第二硫族化物层之间的插入绝缘层。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器件，其中所述第一存储单元包括设置在所述第一存储层和所述第一导电线之间的第一电极、设置在所述第一选择元件层和所述第二导电线之间的第二电极、以及设置在所述第一存储层和所述第一选择元件层之间的第三电极。

11.根据权利要求9所述的非易失性存储器件，还包括在不同于所述第二方向的第三方向上延伸且彼此平行的多条第三导电线；以及

多个第二存储单元，在所述多条第二导电线和所述多条第三导电线彼此交叉的点处设置在所述第二导电线和所述第三导电线之间，

其中所述多条第二导电线设置在所述多条第一导电线和所述多条第三导电线之间。