[发明专利]电能存储单元的至少部分导电外壳内腐蚀检测方法和设备有效

专利信息
申请号: 201710655657.5 申请日: 2017-08-03
公开(公告)号: CN107843543B 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: B.胡贝尔;F.施蒂姆;P.科恩;U.朗格 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司;锂能源和电力有限责任两合公司
主分类号: G01N17/00 分类号: G01N17/00;G01R31/367;G01R31/382;G01R31/392
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 毕铮;杜荔南
地址: 德国斯*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电能 存储 单元 至少 部分 导电 外壳 腐蚀 检测 方法 设备
【权利要求书】:

1.用于电能存储单元(100)的至少部分导电的外壳(104)内的腐蚀的检测的方法,电能存储单元(100)具有正端子(102)并且以正端子(102)与至少部分导电的外壳(104)之间的具有预先分配的电阻值(Rttc,R1,R2,R3,R4)的电阻元件(101)为特征,所述方法包括以下步骤:

- 针对至少一个第一时刻和至少一个第二时刻确定电能存储单元(100)的电荷状态值,和针对至少一个第三时刻确定电能存储单元(100)的外壳(104)与位于电能存储单元(100)外部的至少一个参考点之间的电气隔离电阻值(Riso);以及

- 所确定的电荷状态值的差异与针对电能存储单元(100)的预先定义的电荷状态差异值的第一比较,和所确定的电气隔离电阻值(Riso)与针对电能存储单元(100)的预先定义的电气隔离电阻值(Riso,th)的第二比较;以及

- 取决于第一比较结果和第二比较结果,生成关于腐蚀的检测的信号。

2.根据权利要求1所述的方法,在第一比较的情况下,其中在第一比较中计及在至少一个第一时刻与至少一个第二时刻之间从电能存储单元流动的或向电能存储单元流动的电流。

3.根据前述权利要求中任何一项所述的方法,在第一比较的情况下,其中针对电能存储单元(100)的预先定义的电荷状态差异值取决于至少一个第一时刻与至少一个第二时刻之间的时间差(t1,t2,t3)。

4.根据权利要求1或2所述的方法,在电荷状态值的确定的情况下,还包括以下步骤:

- 在电荷状态值的确定之前,验证从电能存储单元(100)流动或向电能存储单元(100)流动的电流在预先定义的下阈值以上并且在预先定义的上阈值以下。

5.根据权利要求1或2所述的方法,在电荷状态值的确定的情况下,还包括以下步骤:

- 在电荷状态值的确定之前,以使得从电能存储单元(100)流动或向电能存储单元(100)流动的电流在至少一个第一时刻和至少一个第二时刻处以及在这至少两个时刻之间中在预先定义的下阈值以上并且在预先定义的上阈值以下的这样的方式来控制电能存储单元(100)。

6.根据权利要求5所述的方法,其中电能存储单元(100)的控制防止电能存储单元(100)与另外的电能存储单元(100)之间的电荷平衡操作。

7.根据权利要求1或2所述的方法,在电荷状态值的确定的情况下,其中基于预先分配的电阻值(Rttc,R1,R2,R3,R4)和电荷状态确定不确定度来选择至少一个第一时刻与至少一个第二时刻之间的时间差(t1,t2,t3)。

8.根据权利要求1或2所述的方法,在电荷状态值的确定和电气隔离电阻值(Riso)的确定的情况下,其中至少一个第三时刻与至少一个第一时刻或与至少一个第二时刻重合。

9.根据权利要求1或2所述的方法,还包括以下步骤:在电气隔离电阻值(Riso)的确定的情况下:

- 使用所确定的电气隔离电阻值(Riso)来预测电气隔离电阻值(Riso)的将来演进;

- 使用所述预测以排定用于外壳(104)与位于电能存储单元(100)外部的至少一个参考点之间的电气隔离电阻值(Riso)的进一步确定的第四时刻。

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