[发明专利]基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备及方法在审
申请号: | 201710656335.2 | 申请日: | 2017-08-03 |
公开(公告)号: | CN107217241A | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 朱建明 | 申请(专利权)人: | 肇庆市科润真空设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/455;C23C16/509;C23C16/54 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人: | 谢静娜 |
地址: | 52606*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 pecvd 增强 石墨 薄膜 镀膜 设备 方法 | ||
1.基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备,其特征在于,包括多个真空室和基材输送机构,基材输送机构贯穿于多个真空室中;沿泡沫镍基材的输送方向,多个真空室包括依次连接的放卷室、多个镀膜室和收卷室;
每个镀膜室中,泡沫镍基材的上下两侧分别设有射频放电板和等离子体磁控增强装置;
等离子体磁控增强装置包括磁座体、磁场本体、石墨板块、外圈磁体和中间磁体,磁座体为顶部开口的箱体状结构,磁场本体设于磁座体顶部并覆盖于磁座体的顶部开口处,磁场本体顶面覆盖石墨板块,磁座体内靠近磁座体四周侧壁处设有外圈磁体,磁座体内中部设有中间磁体,外圈磁体的磁场方向与中间磁体的磁场方向相反。
2.根据权利要求1所述基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备,其特征在于,所述外圈磁体靠近磁场本体的一端为S极,中间磁体靠近磁场本体的一端为N极。
3.根据权利要求1所述基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备,其特征在于,所述磁座体上设有冷却流道,磁座体底部设有进水接头和出水接头,进水接头和出水接头分别与冷却流道连接。
4.根据权利要求1所述基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备,其特征在于,所述射频放电板包括放电板、放电板座和放电板气室,放电板设于放电板座底部,放电板底座朝向放电板的一面带有凹槽,凹槽处形成放电板气室,放电板气室上设有工作气体接头;放电板上均匀分布有若干扩张孔,各扩张孔与放电板气室连通;各扩张孔呈放射状结构,扩张孔与放电板气室连接端的直径小于扩张孔朝向泡沫镍基材一端的直径。
5.根据权利要求4所述基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备,其特征在于,所述放电板与放电板座的接触面上设有冷却水套,冷水水套的进口端和出口端分别设有冷却水接咀。
6.根据权利要求4所述基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备,其特征在于,所述放电板座的顶部与镀膜室的内壁相接,且放电板座与镀膜室的相接处设有放电板绝缘板;放电板座的四周外侧设有侧护板,且放电板座与侧护板的相接处设有侧绝缘板。
7.根据权利要求1所述基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备,其特征在于,所述基材输送机构包括放卷辊、多个导辊和收卷辊,放卷辊设于放卷室内,收卷辊设于收卷室内,放卷辊和收卷辊之间设置多个导辊;多个导辊中,位于镀膜室中等离子体磁控增强装置上方的导辊为陶瓷托辊。
8.根据权利要求7所述基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备,其特征在于,所述基材输送机构上还设有纠偏装置,沿泡沫镍基材的输送方向,纠偏装置设收卷辊的入口端;
纠偏装置包括压紧辊、传动辊、压紧辊升降机构和传动辊驱动机构和辊组移动机构;压紧辊和传动辊分别设于泡沫镍基材的上下两侧,压紧辊的一侧设有压紧辊升降机构,压紧辊和传动辊位于同一端的端部设有辊组移动机构,传动辊的另一端设有传动辊驱动机构。
9.根据权利要求8所述基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备,其特征在于,所述压紧辊升降机构包括气缸、气缸压紧臂、压紧密封座、压紧辊驱动轴和压紧辊连接臂,气缸的输出端设置气缸压紧臂,气缸压紧臂的末端通过压紧密封座与压紧辊驱动轴的一端连接,压紧辊驱动轴的两端分别设置压紧辊连接臂,每个压紧辊连接臂各与压紧辊的一端连接;
传动辊驱动机构包括传动驱动电机、传动减速器、传动密封座和传动连接套,传动驱动电机的输出端与减速器连接,减速器的输出端设置传动密封座,传动密封座通过传动连接套与传动辊连接;
辊组移动机构包括平移轴驱动电机、平移减速器、平移密封座、平移轴、平移螺母和连接支架,压紧辊和传动辊位于同一端的端部分别与连接支架连接,连接支架一侧设置平移螺母,平移螺母与平移轴的一端螺纹连接,平移轴的另一端通过平移密封座与平移减速器连接,平移减速器设于平移轴驱动电机的输出端。
10.根据权利要求1~9任一项所述设备实现的基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)放卷室中放出泡沫镍基材,由基材输送机构依次送入各个镀膜室中;
(2)在各镀膜室中,开启射频放电板进行放电,产生等离子体,等离子体磁控增强装置在射频放电板下方形成一个闭环回路磁场,等离子体在磁场作用下进行螺旋旋转运动,从而增大等离子体密度,在泡沫镍基材表面沉积膜层;
(3)由多个镀膜室依次完成镀膜后,泡沫镍基材送入收卷室中进行收卷。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的