[发明专利]QLED器件

说明书

本发明提供了一种QLED器件，包括依次层叠在衬底的底电极、双极性俄歇能量倍增结构和顶电极，所述双极性俄歇能量倍增结构为依次结合的空穴传输层、量子点发光层和电子传输层，其中，所述电子传输层由n型纳米材料制成，所述空穴传输层由p型纳米材料制成。

技术领域

本发明属于发光二极管技术领域，尤其涉及一种QLED器件。

背景技术

量子限域效应使得发光量子点在纳米尺度下，其发光颜色可以随尺寸进行调节，特别是对于2-6族半导体材料来说，可以通过改变量子点的尺寸获得覆盖整个可见光谱(从红光到蓝光)的连续可调的发光。与有机发光材料相比，量子点还具有对水氧阻抗性更高等优点。基于此，基于量子点的发光二极管(QLED)具有高色纯度、发光颜色连续可调、抗水氧性能好的优点。此外，QLED同时兼具有机发光二极管(OLED)轻薄，可柔性等特点，因此在显示领域具有非常好的应用前景。尽管QLED展现出较好的应用前景，然而目前QLED器件仍然存在蓝光效率低，器件稳定性差等缺陷，阻碍了该技术的进一步产业化。

目前，QLED器件起亮电压高，大多需要高驱动电压条件才能工作运行。而高驱动电压不但会由于量子斯塔克效应显著淬灭发光，同时也会影响器件的稳定性。因此如何进一步降低QLED的驱动电压成为下一步改善器件性能的主要目标。

发明内容

本发明的目的在于提供一种QLED器件，旨在解决现有QLED器件起亮电压高，导致器件发光淬灭、且稳定性差的问题。

本发明是这样实现的，一种QLED器件，包括依次层叠在衬底的底电极、双极性俄歇能量倍增结构和顶电极，所述双极性俄歇能量倍增结构为依次结合的空穴传输层、量子点发光层和电子传输层，其中，所述电子传输层由n型纳米材料制成，所述空穴传输层由p型纳米材料制成。

本发明提供的QLED器件，构建了双极性俄歇能量倍增结构。所述双极性俄歇能量倍增结构中，所述电子传输层由n型纳米材料制成，所述空穴传输层由p型纳米材料制成。

一方面，特定的双极性俄歇能量倍增结构，可以同时在电子传输层和空穴传输层的两侧利用俄歇能量倍增效应获得更多的能量，从而显著降低器件的起亮和驱动电压。由于量子斯塔克效应的作用，QLED器件中量子点的发光效率受驱动电压的影响较大，因此降低QLED器件的驱动电压可以改善器件的功率效率，提高QLED器件的发光效率。而与OLED不同，影响QLED器件稳定性最大的因素不是电流驱动带来的热效应，而是电压对发光的淬灭。本发明降低QLED器件的驱动电压，可以有效减少淬灭，显著提高QLED器件的使用寿命。综上，特定的双极性俄歇能量倍增结构，可以赋予QLED器件较高的发光效率和较长的使用寿命。

另一方面，分别采用高迁移率的n型纳米材料和p型纳米材料作为电子传输层材料和空穴传输层材料，可以使得电子传输层材料的能级、空穴传输层材料的能级和正负电极之间更加匹配，能够形成无势垒注入的完全欧姆接触，明显改善载流子的传输损失，保证载流子的高效注入，进而提高复合发光效率，提高QLED器件发光效率。

此外，分别采用n型纳米材料和p型纳米材料作为电子传输层材料和空穴传输层材料，使得电子传输层与发光层之间、空穴传输层与发光层之间可以形成非常高的界面能级，可以有效阻挡注入载流子在界面的累积，形成界面电场，提高激子界面跃迁的几率。

附图说明

图1是本发明实施例提供的正型QLED器件结构示意图；

图2是本发明实施例提供的反型QLED器件结构示意图；

图3是本发明实施例提供的QLED器件的能级结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。