[发明专利]具有抑制电位变化的开关元件的半导体装置有效
申请号: | 201710656977.2 | 申请日: | 2017-08-03 |
公开(公告)号: | CN107689368B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 山平优;松冈哲矢 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/48 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 韩俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 抑制 电位 变化 开关 元件 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
多个开关元件,多个所述开关元件彼此并联连接;以及
多个回流元件,多个所述回流元件并联连接到多个所述开关元件,
其特征在于,
多个所述开关元件和多个所述回流元件中的至少每两个构成一个被树脂密封的半导体模块,
用作多个所述开关元件的基准电位的发射电极和用作多个所述回流元件的基准电位的阳极电极通过由导电材料制成的同一板状构件电连接,
所述发射电极经由所述板状构件连接到发射极端子,且所述发射极端子从所述板状构件延伸出,
在被树脂密封的所述半导体模块中的位于最低电位一侧的、并联连接的所述开关元件和所述回流元件构成为使得从所述发射极端子到所述回流元件的距离变成不大于从所述发射极端子到所述开关元件的距离,以将所述开关元件配置于与在所述回流元件的恢复期间流过回流元件并流向所述发射极端子的恢复电流的路径分开的位置上。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,多个所述开关元件中的至少两个开关元件布置成沿着所述板状构件的板面彼此相邻。
3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,彼此相邻的至少两个所述开关元件布置成使得各个元件中心位于同一虚拟直线上。
4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,多个所述开关元件各自的栅电极穿过连接线而被电连接到控制部,其中,所述连接线夹装在多个所述开关元件与所述板状构件之间,所述控制部对多个所述开关元件的切换动作进行控制。
5.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,在多个所述开关元件与所述板状构件之间夹装有导电的间隔件,所述间隔件电连接到多个所述开关元件和所述板状构件,并构成为形成用于从多个所述开关元件各自的所述栅电极引出作为所述连接线的导线的空间。
6.如权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述间隔件与所述板状构件一体化。
7.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述控制部的控制电路板包括图案配线,所述图案配线夹装在多个所述开关元件与所述板状构件之间,并使用所述图案配线来构成所述连接线。
8.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,并联连接的所述开关元件和所述回流元件构成一个具有各自的功能的复合元件。
9.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,多个所述开关元件和多个所述回流元件全部构成为一个一体化的半导体模块。
10.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,多个所述开关元件和多个所述回流元件呈平面地布置于包括发射极端子延伸的方向在内的虚拟平面中。
11.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体模块设置有高电位侧上臂和低电位侧下臂,所述高电位侧上臂和所述低电位侧下臂在电源的高电位侧线与低电位侧线之间串联连接,
所述上臂设置有多组彼此并联连接的开关元件和回流元件,
所述下臂设置有多组彼此并联连接的开关元件和回流元件,
所述上臂中的多组彼此并联连接的所述开关元件和所述回流元件以及所述下臂中的多组彼此并联连接的所述开关元件和所述回流元件构成一个被树脂密封的半导体模块,
在被树脂密封的所述半导体模块中的属于最低电位一侧的所述下臂的、彼此并联连接的多组所述开关元件和所述回流元件全部构成为使得从所述发射极端子到所述回流元件的距离变成不大于从所述发射极端子到所述开关元件的距离。
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