[发明专利]TFT液晶基板金属边框局部镀膜工艺

权利要求书

1.TFT液晶基板金属边框局部镀膜工艺，其特征在于：

1)在TFT基板的镀膜面镀制ITO膜；

2)将遮挡板覆盖在TFT基板的镀膜面，所述遮挡板上预留有镂空的镀膜间隙，所述镀膜间隙位置与TFT基板上镀至金属边框位置相同；

3)在遮挡板上镀至金属膜，金属膜透过镀膜间隙沉积在ITO膜上的金属层构成金属边框；

4)取下遮挡板。

2.根据权利要求1所述的TFT液晶基板金属边框局部镀膜工艺，其特征在于：所述1)中，TFT基板的镀膜面整面镀制有一层ITO膜，所述ITO膜的透过率≥93％以上，反射率≤0.5％以内。

3.根据权利要求1或2所述的TFT液晶基板金属边框局部镀膜工艺，其特征在于：所述2)中遮挡板覆盖在TFT基板上时，mask与基板贴合对位时使用CCD高清镜头与TFT基板边缘的对位靶标对标，靶标重合后开始镀膜。

4.根据权利要求3所述的TFT液晶基板金属边框局部镀膜工艺，其特征在于：所述3)中金属边框厚50nm±5nm,阻抗≤15Ω/sq。

5.根据权利要求1或4所述的TFT液晶基板金属边框局部镀膜工艺，其特征在于：所述遮挡板为不锈钢材质。

6.一种利用如权利要求1-5所述TFT液晶基板金属边框局部镀膜工艺生产的TFT液晶基板，TFT基板的镀膜面设有ITO层，TFT基板的边缘设有BM区域，其特征在于：所述BM区域上方镀制有金属边框。