[发明专利]量子阱结构量子点及其制备方法有效
| 申请号： | 201710657485.5 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109390436B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 程陆玲;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/28 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种量子阱结构量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一种初始量子点，将所述初始量子点分散到溶剂中，得到初始量子点溶液，向所述初始量子点溶液中加入氧化剂将所述初始量子点进行氧化反应，氧化反应结束后，对经过所述氧化反应的所述初始量子点进行刻蚀处理，制备得到量子点核；
在所述量子点核表面生长阱层，得到核-阱结构粒子；
在所述核-阱结构粒子表面生长外壳层，制备得到所述量子阱结构量子点。
2.如权利要求1所述的量子阱结构量子点的制备方法，其特征在于，氧化反应过程中，当氧化反应体系中量子点的带边吸收小于300nm时，氧化反应结束。
3.如权利要求1所述的量子阱结构量子点的制备方法，其特征在于，所述氧化剂为过氧化苯甲酰、过氧化二苯甲酰、过氧化二月桂酰和过氧化乙酰苯甲酯中的至少一种。
4.如权利要求1所述的量子阱结构量子点的制备方法，其特征在于，氧化反应结束后，加入刻蚀剂进行刻蚀处理，所述刻蚀剂为有机酸，所述有机酸的酸度系数pKa为1-4。
5.如权利要求4所述的量子阱结构量子点的制备方法，其特征在于，所述刻蚀剂为三氟乙酸、三氯乙酸、三溴乙酸和三碘乙酸中的至少一种。
6.如权利要求1所述的量子阱结构量子点的制备方法，其特征在于，所述在所述量子点核表面生长阱层的步骤中，阱层的生长温度为280-350℃；和/或
所述在所述核-阱结构粒子表面生长外壳层的步骤中，外壳层的生长温度为280-350℃。
7.如权利要求1-6任一项所述的量子阱结构量子点的制备方法，其特征在于，所述将所述初始量子点进行氧化反应的步骤中，按所述初始量子点与所述氧化剂的比为1mmol:(50～300)mg加入氧化剂进行氧化反应；和/或
所述对经过所述氧化反应的所述初始量子点进行刻蚀处理的步骤中，按所述初始量子点与刻蚀剂的比为1mmol:(25～150)mg加入刻蚀剂进行刻蚀处理。
8.一种量子阱结构量子点，其特征在于，所述量子阱结构量子点包括量子点核，包裹在所述量子点核表面的阱层，包裹在所述阱层表面的外壳层，所述量子点核的粒径为1-2nm，所述阱层的厚度为1-5nm，所述外壳层的厚度为1-7nm；且所述量子阱结构量子点由权利要求1-7任一项所述的制备方法制备获得。
9.一种量子阱结构量子点的应用，其特征在于，将权利要求8所述量子阱结构量子点用于制备QLED器件的发光层。
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