[发明专利]像素电极及液晶显示面板有效
申请号: | 201710657606.6 | 申请日: | 2017-08-03 |
公开(公告)号: | CN107329334B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 郝思坤 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电极 液晶显示 面板 | ||
本发明提供一种像素电极及液晶显示面板。该像素电极设置有连接所有像素电极分支(13)的末端和主干(11)的第一封闭框(15)、以及至少一个套设在第一封闭框(15)外围并与主干(11)连接的第二封闭框(17),通过所述第一封闭框(15)与第二封闭框(17)使得像素电极的边缘电场规整,从而使位于子像素边缘的液晶分子的取向较为均匀一致,能够消除子像素四周边缘的暗纹,提高液晶显示面板的光学穿透率;此外,所述第一封闭框(15)与第二封闭框(17)两者之间形成一个新畴,能够进一步改善液晶显示面板在中低灰阶下的视角。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素电极及液晶显示面板。
背景技术
主动式薄膜晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor-LCD,TFT-LCD)近年来得到了飞速地发展和广泛地应用。就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言,可分为三种类型,分别是扭曲向列(Twisted Nematic,TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic,STN)型,平面转换(In-PlaneSwitching,IPS)型、及垂直配向(Vertical Alignment,VA)型。其中VA型液晶显示面板相对其它种类的液晶显示面板具有极高的对比度,在大尺寸显示,如液晶电视等方面大量使用。
如图1所示,传统的VA型液晶显示面板包括:上基板10、与上基板10相对设置的下基板20、夹于上基板10和下基板20之间的液晶层50、设于下基板20上的像素电极70、及设于上基板10上与像素电极70相对的公共电极80。由于VA型液晶显示面板采用垂直转动的液晶,液晶分子双折射率的差异比较大,导致大视角下会出现色偏(Color Shift)问题。
为了使VA型液晶显示面板获得更好的广视角特性,改善色偏问题,通常会采取多畴VA技术(multi-domain VA,MVA),即将一个子像素划分成多个区域,并使每个区域中的液晶在施加电压后倒伏向不同的方向,从而使各个方向看到的效果趋于平均,一致。结合图1与图2,实现MVA技术的方法通常是将所述像素电极70处理成“米”字型图案,而公共电极80为厚度均匀、连续不间断的平面电极。具体地,如图2所示,210与220分别为扫描线与数据线,一个子像素被像素电极70划分成了四个畴,所述像素电极70包括“十”字形主干701、及相对于水平方向自该“十”字形主干701分别向45°、135°、-135°、及-45°方向延伸的多个条状像素电极分支702,每两条同向相邻的两条状像素电极分支702之间形成一狭缝。这种“米”字型图案的像素电极70产生的倾斜电场可以诱导不同畴中的液晶分子倒向不同的方向,起到改善色偏的作用。
图3所示为使用上述“米”字型图案像素电极70的子像素的光学表现,由于像素电极70的四周边缘不整齐,相应的边缘电场的方向较为杂乱,位于子像素边缘的液晶分子的取向亦较为杂乱,影响光的穿透率,子像素的边缘区域会出现暗纹,导致显示质量下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种像素电极,能够消除子像素四周边缘的暗纹,提高液晶显示面板的光学穿透率,并进一步改善液晶显示面板的视角。
本发明的另一目的在于提供一种液晶显示面板,其内子像素的四周边缘没有暗纹,光学穿透率较高,视角得到进一步改善。
为实现上述目的,本发明首先提供一种像素电极,包括:
主干,将一个子像素划分成数个畴;
于各个畴内自所述主干沿不同方向延伸的多个像素电极分支,一个畴内的多个像素电极分支相互平行且相互间隔,相邻两个畴内的像素电极分支的延伸方向不同;
连接所有像素电极分支的末端和主干的第一封闭框;
以及至少一个套设在所述第一封闭框外围并与主干连接的第二封闭框;
所述第一封闭框与第二封闭框的形状相同且相互间隔,两者之间形成一个新畴。
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