[发明专利]一种低温度系数基准电压源电路

权利要求书

1.一种低温度系数基准电压源电路，其特征在于，包括：电流产生电路、电压产生电路、电源抑制比电路，所述电流产生电路给所述电压产生电路提供电流，所述电源抑制比电路给所述电流产生电路和电压产生电路提供工作电压，所述电压产生电路输出基准电压；

所述电流产生电路由第一、第二三极管、第一、第二、第三电阻、第一、第二PMOS管组成，所述第一三极管的集电极和基极、第二三极管的集电极和基极、第二电阻的下端、第三电阻的下端分别接地，所述第一电阻的下端与所述第一三极管的发射极连接，所述第一电阻的上端分别与所述第三电阻的上端、所述第一PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS的栅极连接，所述第二PMOS管的漏极分别与所述第二电阻的上端、所述第二三极管的发射极连接；

所述电压产生电路由第三、第四PMOS管、第一、第二、第三NMOS管组成，所述第三PMOS管的源极分别与所述第四PMOS管的源极、所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极连接，所述第三PMOS管的栅极分别与所述第四PMOS管的栅极、所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极连接，所述第四PMOS管的漏极分别与所述第二NMOS管的漏极、第二NMOS管的栅极、第一NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的源极分别与所述第一NMOS管的漏极、所述第三NMOS管的源极连接，所述第一NMOS管的源极对地连接，所述第三NMOS管的栅极分别与其的漏极、所述第三PMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的漏极输出基准电压；

所述电源抑制比电路由第五、第六、第七、第八PMOS管、偏置电流源组成，所述第五PMOS管的源极与所述第六PMOS管的源极连接，所述第五PMOS管的漏极分别与所述第一、第二、第三、第四、第八PMOS管的源极连接，所述第六PMOS管的漏极与所述第七PMOS管的源极连接，所述第六PMOS管的栅极分别与所述第五PMOS管的栅极、所述第七PMOS管的漏极连接，所述偏置电流源的一端与所述第七PMOS管的漏极连接，所述偏置电流源的另一端、所述第八PMOS管的漏极分别对地连接，第七PMOS管的栅极分别与第一、第二、第三、第四PMOS管的栅极连接。

2.根据权利要求1所述的一种低温度系数基准电压源电路，其特征在于：还设有反馈回路，所述反馈回路包括运算放大器，所述运算放大器的同相输入端分别与所述第一、第三电阻的上端、第一PMOS管的漏极连接，所述运算放大器的反相输入端分别与所述第二电阻的上端、第二三极管的发射极、第二PMOS管的漏极连接，所述运算放大器的输出端与所述第八PMOS管的栅极连接。