[发明专利]正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法和光掩模坯

权利要求书

1.正型抗蚀剂组合物，其包括(A)包括具有式(A)的锍化合物的酸扩散抑制剂，和(B)含有包括具有式(B1)的重复单元的聚合物的基础聚合物，所述聚合物适于在酸的作用下分解，以增加其在碱性显影剂中的溶解度，

其中，R¹、R²和R³各自独立地为可以包含含有选自氧、硫、氮和卤素的杂原子的结构部分的C₁-C₂₀直链、支链或环状的一价烃基，p和q各自独立地为0至5的整数，r为0至4的整数，在p＝2至5的情况下，两个相邻的R¹基团可以与它们所连接的碳原子键合在一起以形成环，在q＝2至5的情况下，两个相邻的R²可以与它们所连接的碳原子键合在一起以形成环，在r＝2至4的情况下，两个相邻的R³可以与它们所连接的碳原子键合在一起以形成环，

其中，R^A为氢、氟、甲基或三氟甲基，R¹¹各自独立地为卤素，任选被卤化的C₂-C₈直链、支链或环状的酰氧基，任选被卤化的C₁-C₆直链、支链或环状的烷基或任选被卤化的C₁-C₆直链、支链或环状的烷氧基，A¹为单键或C₁-C₁₀直链、支链或环状的亚烷基，其中醚键可以插入碳-碳键中，v为0或1，w为0至2的整数，a为满足0≤a≤5+2w-b的整数，和b为1至3的整数。

2.根据权利要求1所述的正型抗蚀剂组合物，其中所述聚合物进一步包括具有式(B2)的重复单元：

其中，R^A如上文所定义，R¹²各自独立地为卤素，任选被卤化的C₂-C₈直链、支链或环状的酰氧基，任选被卤化的C₁-C₆直链、支链或环状的烷基，或者任选被卤化的C₁-C₆直链、支链或环状的烷氧基，A²为单键或C₁-C₁₀直链、支链或环状的亚烷基，其中醚键可以插入碳-碳键中，s为0或1，t为0至2的整数，c为满足0≤c≤5+2t-e的整数，d为0或1，e为1至3的整数，在e＝1的情况下，X为酸不稳定性基团，和在e＝2或3的情况下，X为氢或酸不稳定性基团，至少一个X为酸不稳定性基团。

3.根据权利要求1所述的正型抗蚀剂组合物，其中所述聚合物进一步包括选自具有式(B3)、(B4)和(B5)的单元的至少一种类型的重复单元：

其中，R^A如上文所定义，R¹³和R¹⁴各自独立地为羟基，卤素原子，乙酰氧基，任选被卤化的C₂-C₈直链、支链或环状的酰氧基，任选被卤化的C₁-C₈直链、支链或环状的烷基，任选被卤化的C₁-C₈直链、支链或环状的烷氧基，或者任选被卤化的C₂-C₈直链、支链或环状的烷基羰基氧基，R¹⁵为乙酰基，乙酰氧基，C₁-C₂₀直链、支链或环状的烷基，C₁-C₂₀直链、支链或环状的烷氧基，C₂-C₂₀直链、支链或环状的酰氧基，C₂-C₂₀直链、支链或环状的烷氧基烷基，C₂-C₂₀烷基硫烷基，卤素原子，硝基，氰基，亚磺酰基或磺酰基，A³为单键或C₁-C₁₀直链、支链或环状的亚烷基，其中醚键可以插入碳-碳键中，f和g各自独立地为0至4的整数，h为0或1，j为0至5的整数，和k为0至2的整数。