[发明专利]用于校正存储器中的数据错误的系统及方法在审

专利信息
申请号: 201710661595.9 申请日: 2017-08-04
公开(公告)号: CN107689246A 公开(公告)日: 2018-02-13
发明(设计)人: 池育德;王清煌;史毅骏;施孟君;王家佑 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C29/44;G11C29/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 路勇
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 校正 存储器 中的 数据 错误 系统 方法
【说明书】:

技术领域

发明实施例涉及一种用于校正存储器中的数据错误的系统及方法。

背景技术

集成电路(IC)是制造至半导体材料的薄衬底的表面中的电子电路。IC现今实际上用于全部电子装备中且已彻底改变电子世界。现在,计算机、移动电话及其它数字家用器具是现代社会结构的不可或缺的部分,此因生产IC的低成本而成为可能。在已生产IC之后,IC的后续处理可包含使IC经受相对较高的温度。例如,在一些实例中,在将IC附接到印刷电路板(PCB)时,将IC加热到大约260摄氏度的温度。

发明内容

本发明实施例涉及一种形成装置的方法,所述方法包括:形成包含存储器的集成电路(IC)裸片;确定当经受高温时易受数据遗失的存储器位置的地址;将数据位写入到所述存储器,所述数据位包含写入到所述存储器位置的一组位;将所述组位写入到当经受所述高温时不易受数据遗失的所述IC裸片的存储装置;在使所述IC裸片经受高温之后,重写存储于所述地址处的所述位中的至少一者,基于写入到所述存储装置的所述组位重写所述位中的所述至少一者。

本发明实施例涉及一种形成装置的方法,所述方法包括:形成包含存储器的集成电路(IC)裸片;将数据位及对应于所述数据位的第一校验位写入到所述存储器;及在使所述IC裸片经受高温之后,使用所述第一校验位来检测并校正所述数据位中的错误。

本发明实施例涉及一种集成电路(IC)裸片,其包括:存储器,其包含当经受高温时易受数据遗失的存储器位置;存储装置,其在经受所述高温时不易受数据遗失;及逻辑模块,其经配置以:将数据位写入到所述存储器,所述数据位包含写入到所述存储器位置的一组位;将所述组位写入到所述存储装置;及在使所述IC裸片经受高温之后,重写存储于所述存储器中的所述位中的至少一者,基于写入到所述存储装置的所述组位重写所述位中的所述至少一者。

附图说明

当结合附图阅读时,从以下[具体实施方式]最好地理解本揭露的方面。应注意,根据产业中的标准实践,各个装置未按比例绘制。事实上,为清楚论述,各个装置的尺寸可任意增大或缩小。

图1A描绘根据一些实施例的用于形成装置的示范性方法的操作。

图1B描绘根据一些实施例的用于形成装置的另一示范性方法的操作。

图2A描绘根据一些实施例的在回流工艺之后用于校正存储于存储器上的数据的示范性方法的操作。

图2B描绘根据一些实施例的形成于IC裸片上的存储器及存储装置。

图2C及2D描绘根据一些实施例的包含测试装备、形成于印刷电路板(PCB)上的CPU或状态机以及IC裸片的示范性设备。

图2E描绘根据一些实施例的示范性码编程步骤。

图2F描绘根据一些实施例的在回流工艺之后对存储于存储器上的数据的示范性校正。

图3描绘根据一些实施例的用于形成装置的示范性方法的操作。

图4描绘根据一些实施例的用于形成装置的另一示范性方法的操作。

具体实施方式

以下揭露提供用于实施所提供标的的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然,这些实例仅为实例且并不意图为限制性的。例如,在下文描述中,第一装置形成于第二装置上方或上可包含其中第一装置及第二装置经形成而直接接触的实施例,且还可包含其中额外装置可形成于第一装置与第二装置之间使得第一装置及第二装置可未直接接触的实施例。另外,本揭露可在各个实例中重复元件符号及/或字母。此重复是用于简单及清楚的目的,且本身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

集成电路(IC)裸片是制造至半导体材料的薄衬底的表面中的电子电路。在已生产IC裸片之后,IC的后续处理可包含使IC裸片经受相对较高的温度。特定地说,在将IC裸片附接到印刷电路板(PCB)时,通常利用在相对较高温度(例如,260摄氏度)下执行的回流工艺(例如,焊料回流工艺)。存储在形成于IC裸片上的存储器上的数据常常因相对高温回流工艺而遗失或毁坏。当此数据遗失或毁坏发生时,IC裸片及PCB两者通常都呈现无效且因此可能报废(例如,除去)。IC裸片及PCB的此报废是非所要的且可为昂贵的。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710661595.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top