[发明专利]一种晶体硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池，包括硅衬底、发射极、背面场以及分别设置于发射极和背面场上的金属电极，所述发射极以及背面场位于硅衬底两侧，所述发射极和/或背面场包括非金属区域以及用于设置金属电极的金属区域，其特征在于，所述发射极和/或背面场上的金属区域至金属电极之间依次设置有钝化层以及重掺多晶硅层。

2.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述硅衬底为P型或者N型硅材料制成，所述硅衬底电阻率为0.01～1000Ωcm。

3.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述钝化层的厚度为0.1～1000埃，带隙宽度为1～10eV。

4.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述钝化层为氧化硅、氮化硅或者非晶硅中的一种或多种材料制成。

5.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述重掺多晶硅层的掺杂类型与发射极和/或背电场的掺杂类型相同。

6.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述重掺多晶硅层的厚度为1～10000nm，带隙宽度为1.1～2eV。

7.如权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述重掺多晶硅层与金属电极之间设置有富含氢元素的薄膜层，所述薄膜层的厚度为0.1～10000nm。

8.如权利要求7所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述薄膜层为氮化硅、氧化硅或者氧化铝中的一种或几种材料制成。

9.一种如权利要求1～8任一所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)在硅衬底上进行掺杂，形成均匀的发射极和/或背面场，并在发射极和/或背面场上划分非金属区域以及用于设置金属电极的金属区域；

(b)先在发射极和/或背面场的金属区域以及非金属区域上经由热氧氧化形成钝化层，再在钝化层上沉积重掺多晶硅层，然后在位于金属区域处的重掺多晶硅层上采用丝网印刷形成一层掩膜层，再刻蚀未被掩模层保护的非金属区域的钝化层和重掺多晶硅层，最后去除掩膜层；

或者，在发射极和/或背面场的金属区域上经由热氧氧化形成钝化层，再在钝化层上沉积重掺多晶硅层；

(c)在重掺多晶硅层上丝网印刷金属电极浆，烧结得到金属电极。

10.如权利要求9所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(c)中，先在重掺多晶硅层和/或非金属区域上沉积所述薄膜层，再在位于金属区域的薄膜层上丝网印刷金属电极浆，最后烧结得到金属电极。