[发明专利]一种酸性土壤苹果密植园养根壮树施肥法在审

专利信息
申请号: 201710662381.3 申请日: 2017-08-04
公开(公告)号: CN107509431A 公开(公告)日: 2017-12-26
发明(设计)人: 马钧;杨光柱;黄文静;李帆 申请(专利权)人: 云南省农业科学院园艺作物研究所
主分类号: A01C21/00 分类号: A01C21/00;A01G17/00
代理公司: 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙)11531 代理人: 李宏伟
地址: 650000 云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 酸性 土壤 苹果 密植 园养根壮树 施肥
【说明书】:

技术领域

本实用发明涉及苹果树种植领域,特别涉及酸性土壤苹果密植园养根壮树施肥法。

背景技术

苹果树的新生根包括生长根和吸收根两大类。吸收根是养分、水分吸收的主要部分,它所吸收的物质主要供应树体下部及第一批形成的叶片,保证叶片健全功能,可以防止叶片衰老,控制秋梢旺长。从对两类根诱导的试验中发现,水、氮诱导生长根的发生,以有机质为主的基质和良好的通气条件是诱导吸收根的前提。

局部优化改良根系集中区20%的土壤环境,就可以改善根系的结构,提高优化区的跟容量,增强根系功能,同时通过化感作用限制非优化改良区域根系的冗余生长。一棵苹果树有局部高效优质结构的根系组合,可以影响整体植株的器官建造。另外,在改善条件,提高功能的前提下,局部优化改良根系对矿质营养的吸收可以满足植株对矿质营养的需求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种酸性土壤苹果密植园养根壮树施肥法,促毛发细根,提高根系的吸收能力,以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。

为实现上述目的,本发明提供以下的技术方案:一种酸性土壤苹果密植园养根壮树施肥法,包括以下步骤,

1)在树冠投影下距树干30-50厘米的范围内,挖至少5个深40厘米、直径30厘米的穴;

2)在穴内施入混合有机肥并浇施酵素肥,然后起垄并覆盖地布;

3)每年萌芽前7天及春梢停长前通过滴灌设施滴入2%钙镁硼水溶肥(以硝酸钾为基料,N:P:K=13:0:13),滴量以确保根际土壤含水量稳定在70-80%之间为宜;

4)每3年换位置挖坑重复步骤1-步骤3。

优选的,所述步骤1)中,定植后从第3年开始,在9月下旬至10月上旬之间开始挖坑。

优选的,所述步骤1),在范围内挖5个穴,其中两个在距树干40厘米的范围内,相互之间相对于树干呈120°夹角,另外三个在距树干50厘米的范围内,相互之间相对于树干呈120°夹角,内圈和外圈的穴交错设置。

优选的,所述混合有机肥由8-15%腐熟的羊粪、5-8%草炭或褐煤、15-25%粉碎后的玉米秸秆、15-25%粗砂石、8-15%钙镁磷肥、1-5%生石灰和25-35%表土混合均匀。

优选的,所述混合有机肥由12%腐熟的羊粪+6%草炭或褐煤+20%粉碎后的玉米秸秆+20%粗砂石+10%钙镁磷肥+2%生石灰+30%表土混合均匀。

采用以上技术方案的有益效果是:本发明的酸性土壤苹果密植园养根壮树施肥法,促毛发细根,提高根系的吸收能力;贮存肥水,稳定持续供给营养;调整酸性土壤PH值,改善根际土壤微环境;提高果品质量,增加效益。

具体实施方式

下面详细说明本发明的优选实施方式。

本发明的具体实施方式:一种酸性土壤苹果密植园养根壮树施肥法,包括以下步骤,

1)在树冠投影下距树干30-50厘米的范围内,挖至少5个深40厘米、直径30厘米的穴;

2)在穴内施入混合有机肥并浇施酵素肥,然后起垄并覆盖地布;

3)每年萌芽前7天及春梢停长前通过滴灌设施滴入2%钙镁硼水溶肥(以硝酸钾为基料,N:P:K=13:0:13),滴量以确保根际土壤含水量稳定在70-80%之间为宜;

4)每3年换位置挖坑重复步骤1-步骤3。

步骤1)中,定植后从第3年开始,在9月下旬至10月上旬之间开始挖坑;在距树干30-50厘米的范围内挖5个穴,其中两个在距树干40厘米的范围内,相互之间相对于树干呈120°夹角,另外三个在距树干50厘米的范围内,相互之间相对于树干呈120°夹角,内圈和外圈的穴交错设置。

混合有机肥由8-15%腐熟的羊粪、5-8%草炭或褐煤、15-25%粉碎后的玉米秸秆、15-25%粗砂石、8-15%钙镁磷肥、1-5%生石灰和25-35%表土混合均匀。

混合有机肥的最优配方为,由12%腐熟的羊粪+6%草炭或褐煤+20%粉碎后的玉米秸秆+20%粗砂石+10%钙镁磷肥+2%生石灰+30%表土混合均匀。

本发明的酸性土壤苹果密植园养根壮树施肥法,促毛发细根,提高根系的吸收能力;贮存肥水,稳定持续供给营养;调整酸性土壤PH值,改善根际土壤微环境;提高果品质量,增加效益。

以上所述的仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。

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