[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本揭露涉及半导体结构及其制造方法。具体而言，本揭露提供一种半导体结构，其包含：第一硅层，其具有贯穿硅通路TSV；III‑V族结构，其在所述第一硅层上方，电耦合到所述TSV；及重布层RDL，其在所述第一硅层下方，电耦合到所述TSV。本揭露还提供一种制造半导体装置的方法。所述方法包含：提供硅基III‑V族结构，其包括硅层上方的III‑V族装置；在所述硅层中形成贯穿硅通路TSV，所述贯穿硅通路TSV电耦合到所述III‑V族装置；及在所述硅层的相对于所述III‑V族装置的一侧上方形成重布层RDL。

技术领域

本揭露涉及一种硅基III-V族半导体结构及其制造方法。

背景技术

在半导体技术中，归因于其特性，III-V族层-V材料(例如，氮化镓(GaN))用以形成各种集成电路，例如高功率场效晶体管、高频率晶体管或发光二极管(LED)。通常，GaN以特定晶格失配形成于衬底(例如蓝宝石衬底或碳化硅衬底)上。这些衬底在材料及/或制造方面是昂贵的。因为硅基GaN是对于高功率装置或LED的理想结构(具有减少的成本)，所以期望在硅衬底上生长GaN。然而，较小大小晶片(例如，6英寸或8英寸)到较大大小晶片(例如，12英寸)上的集成及此硅基III-V族结构的热耗散已阻碍本装置性能的进展。因此，需要一种经设计以解决上述问题的硅基III-V族结构及其制作方法。

发明内容

根据本发明的实施例，一种半导体结构，其包括：第一硅层，其具有贯穿硅通路(TSV)；III-V族结构，其在所述第一硅层上方，电耦合到所述TSV；及重布层(RDL)，其在所述第一硅层下方，电耦合到所述TSV。

根据本发明的实施例，一种半导体结构，其包括：第一硅层，其具有贯穿硅通路(TSV)；及III-V族结构，其在所述第一硅层上方，电耦合到所述TSV，所述III-V族结构包括主体III-V族部分及装置部分。

根据本发明的实施例，一种制造半导体结构的方法，其包括：提供硅基III-V族结构，其包括硅层上方的III-V族装置；在所述硅层中形成贯穿硅通路(TSV)，所述贯穿硅通路(TSV)电耦合到所述III-V族装置；及在所述硅层的相对于所述III-V族装置的一侧上方形成重布层(RDL)。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下实施方式最佳理解本揭露的方面。应强调，根据产业中的标准实践，各个构件未按比例绘制。事实上，为论述的清楚起见，可任意增大或减小各个构件的尺寸。

图1是根据本揭露的一些实施例的硅基III-V族半导体结构。

图2是根据本揭露的一些实施例的硅基III-V族半导体结构。

图3是根据本揭露的一些实施例的硅基III-V族半导体结构。

图4是根据本揭露的一些实施例的硅基III-V族半导体结构。

图5是根据本揭露的一些实施例的硅基III-V族半导体结构。

图6A到6L绘示根据本揭露的一些实施例的一种用于制造硅基III-V族半导体结构的方法的片段截面图。

图7A到7F绘示根据本揭露的一些实施例的一种用于制造硅基III-V族半导体结构的方法的片段截面图。

具体实施方式

在图式中，相似参考数字贯穿各种视图用于指示相似或类似元件且展示及描述本发明实施例的绘示性实施例。所述图式未必按比例绘制，且仅出于绘示的目的，在一些例项中已在某些位置放大及/或简化所述图式。所属领域的一般技术人员将了解基于本发明实施例的以下绘示性实施例的诸多可能应用及变动。