[发明专利]Ku波段自偏置低噪声放大器

权利要求书

1.Ku波段自偏置低噪声放大器，其特征在于，包括基于同样的自偏置结构，并且依次相连的三级放大电路：

所述第一级放大电路包括第一电容C1、第一微带线TL1、第一晶体管M1、第一级自偏置电路和第二微带线TL2；电容C1的一端连接输入端口，电容C1的另一端分别与第一微带线TL1和第一晶体管M1的栅极相连；第一晶体管M1的源极通过第一级自偏置电路接地，第一晶体管M1的漏极通过第二微带线TL2连接到电源，第一晶体管M1的漏极还通过第一二级的匹配电路连接第二级放大电路；

第二级放大电路包括第二电阻R2、第二晶体管M2、第四微带线TL4和第二级自偏置电路；第二晶体管M2的栅极分别与第一二级匹配电路和第二电阻R2相连，第二晶体管M2的源极通过第二级自偏置电路接地，第二晶体管M2的漏极通过第四微带线TL4连接到电源，第二晶体管M2的漏极还通过第二三级匹配电路连接第三级放大电路；

第三级放大电路包括第四电阻R4、第三晶体管M3、第三级自偏置电路和第一电感L1；第三晶体管M3的栅极分别与第二三级匹配电路和第四电阻R4相连，第三晶体管M3的源极通过第三级自偏置电路接地，第三晶体管M3的漏极通过第一电感L1连接到电源，第三晶体管M3的漏极通过第六电容C6连接输出端。

2.根据权利要求1所述的Ku波段自偏置低噪声放大器，其特征在于，所述第一二级匹配电路由相连的第二电容C2和第三微带线TL3构成，第二电容C2的另一端与第一晶体管M1的漏极相连，第三微带线TL3的另一端与第二晶体管M2的栅极相连接。

3.根据权利要求1所述的Ku波段自偏置低噪声放大器，其特征在于，所述第二三级匹配电路由相连的第四电容C4和第五微带线TL5构成，第四电容C4的另一端与第二晶体管M2的漏极相连，第五微带线TL5的另一端连接第三晶体管M3的栅极。

4.根据权利要求1所述的Ku波段自偏置低噪声放大器，其特征在于，所述第一级自偏置电路由第一电阻R1和第三电容C3构成；第一电阻R1一端连接到第一晶体管M1的源极，另一端连接到地；第三电容C3并联在第一电阻R1的两端。

5.根据权利要求1所述的Ku波段自偏置低噪声放大器，其特征在于，所述第二级自偏置电路由第三电阻R3和第五电容C5构成；第三电阻R3一端连接到第二晶体管M2的源极，另一端连接到地；第五电容C5并联在第三电阻R3的两端。

6.根据权利要求1所述的Ku波段自偏置低噪声放大器，其特征在于，所述第三级自偏置电路由第五电阻R5和第七电容C7构成；第五电阻R5一端连接到第三晶体管M3的源极，另一端连接到地；第七电容C7并联在第五电阻R5的两端。

7.根据权利要求1所述的Ku波段自偏置低噪声放大器，其特征在于，所述第三晶体管M3的栅宽大于第一晶体管M1和第二晶体管M2。