[发明专利]太阳能硅片的切割方法及三维结构太阳能硅片有效
申请号: | 201710665447.4 | 申请日: | 2017-08-07 |
公开(公告)号: | CN107263750B | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 万明 | 申请(专利权)人: | 苏州赛万玉山智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236 |
代理公司: | 32297 南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 陆明耀 |
地址: | 215311 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能硅片 切割 进给 三维结构 切割线 驱动 切割线方向 波浪形状 工件表面 硅片切割 轴向进给 波浪形 | ||
1.太阳能硅片的切割方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1,驱动工件进行Z轴方向进给,使工件与切割线接触;
S2,驱动工件同时进行Z轴方向进给和Y轴方向往复进给,切割出具有波浪形切割面的太阳能硅片;形成的波浪形切割面为非对称波形,从波谷到相邻波峰之间的Z轴方向进给行程以及从波峰到相邻波谷之间的Z轴方向进给行程中较大的一个与波深的比值不小于1:1;
其中,一个往复运动过程中至少包括依次进行的从0速度开始的加速阶段、减速至0速度的减速阶段、从0速度开始的反向加速阶段以及减速至0速度的反向减速阶段,在加速阶段与减速阶段之间和/或反向加速阶段与反向减速阶段之间还包括匀速进给阶段;
且切割过程中采用金刚线多线锯切割工艺,切割线的运动速度在20-25m/s之间。
2.根据权利要求1所述的太阳能硅片的切割方法,其特征在于:金刚线的直径为0.05-0.1mm之间。
3.根据权利要求1所述的太阳能硅片的切割方法,其特征在于:工件Z轴方向进给的速度在0-1mm/min之间。
4.根据权利要求1所述的太阳能硅片的切割方法,其特征在于:在S1步骤中,当切割线与工件接触时,使工件继续进行0.5-2mm行程的Z轴方向进给后再执行S2步骤。
5.根据权利要求1-4任一所述的太阳能硅片的切割方法,其特征在于:在S2步骤中,Y轴方向进给包括一组连续且重复的往复运动过程,在一个往复运动过程中,Y轴方向往复进给的行程相同,且Y轴方向进给平均速度满足如下公式:
p/vZ=2d/vY
其中,p为波长;d为波深;vZ为Z轴方向进给速度;vY为Y轴方向进给平均速度。
6.根据权利要求1所述的太阳能硅片的切割方法,其特征在于:在一个往复运动过程中,从加速阶段开始到减速阶段结束的时间总和小于或大于从反向加速阶段开始到反向减速阶段结束的时间总和,且金刚线在两个时间段内形成的切割痕迹的长度、形状不同。
7.根据权利要求6所述的太阳能硅片的切割方法,其特征在于:在S2步骤中,在切割线距离工件边缘0.5-2mm的行程时,将工件同时进行Z轴方向进给和Y轴方向进给切换为只进行Z轴方向进给。
8.具有三维结构太阳能硅片,其特征在于:采用权利要求1-7任一所述的方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的