[发明专利]一种减反射膜以及多晶硅太阳电池

说明书

技术领域

本发明涉及多晶硅太阳电池技术领域，尤其是涉及一种减反射膜以及多晶硅太阳电池。

背景技术

太阳能电池发展的主要趋势是高转换效率和低成本。为了提高电池的转换效率，降低电池表面的光反射，增加光的有效吸收是十分必要的。采用减反射膜以降低电池表面对光的反射损失，即是一种提高转化率和降低成本的方法。

目前，晶体硅太阳电池行业普遍采用PEVCD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积)方式制作出减反射膜，对应的管式PEVCD机台普遍所使用的特气为氨气和硅烷，由于机台只能定量控制氨气和硅烷的流量，因此，传统的减反射膜通常为2到3层氮化硅膜层结构，此结构的反射率较高，且在抗PID(Potential Induced Degradation，高压诱导衰减效应)性能上无优势。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种减反射膜以及多晶硅太阳电池，以解决现有减反射膜中存在的反射率较高，抗PID性能差的技术问题。

为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

第一方面，本发明提供一种减反射膜，其至少包括氮氧化硅膜层和氮化硅渐变膜层，所述氮氧化硅膜层与氮化硅渐变膜层之间形成叠层状的薄膜结构。

作为一种进一步的技术方案，该减反射膜包括第一氮氧化硅膜层、第一氮化硅膜层和第一氮化硅渐变膜层；所述第一氮化硅膜层沉积在所述第一氮氧化硅膜层之上，所述第一氮化硅渐变膜层沉积在所述第一氮化硅膜层之上。

优选的，所述第一氮氧化硅膜层满足如下参数条件：

所述第一氮氧化硅膜层的厚度设置为1～5nm；

所述第一氮氧化硅膜层的折射率设置为1.5～1.9；

所述第一氮氧化硅膜层采用PECAD工艺进行镀膜时所使用的特气包括硅烷、氨气和笑气，所述硅烷、氨气和笑气三者的流量比例设置为1:10:5～1:20:10。

优选的，所述第一氮化硅膜层满足如下参数条件：

所述第一氮化硅膜层厚度设置为10～30nm；

所述第一氮化硅膜层的折射率设置为2.15～2.35；

所述第一氮化硅膜层采用PECAD工艺进行镀膜时所使用的特气包括硅烷和氨气，所述硅烷与氨气二者的流量比例设置为1:3～1:5。

优选的，所述第一氮化硅渐变膜层满足如下参数条件：

所述第一氮化硅渐变膜层的厚度设置为50～75nm；

所述第一氮化硅渐变膜层的折射率渐变范围1.6～2.10；

所述第一氮化硅渐变膜层采用PECAD工艺进行镀膜时所使用的特气包括硅烷、氨气和笑气，通过控制特气的流量比参数以形成折射率可渐变控制的所述第一氮化硅渐变膜层，其中，所述硅烷、氨气和笑气三者的流量比例设置为1:10:8～1:20:15，反应时间控制范围50～400s。

作为一种进一步的技术方案，该减反射膜包括第二氮化硅膜层、第二氮化硅渐变膜层和第二氮氧化硅膜层；所述第二氮化硅渐变膜层沉积在所述第二氮化硅膜层之上，所述第二氮氧化硅膜层沉积在所述第二氮化硅渐变膜层之上。

优选的，所述第二氮化硅膜层满足如下参数条件：

所述第二氮化硅膜层的厚度设置为8～30nm；

所述第二氮化硅膜层的折射率设置为2.15～2.35；

所述第二氮化硅膜层采用PECAD工艺进行镀膜时所使用的特气包括硅烷和氨气，所述硅烷与氨气二者的流量比例设置为1:3～1:6。

优选的，所述第二氮化硅渐变膜层满足如下参数条件：

所述第二氮化硅渐变膜层的厚度控制范围60～75nm；

所述第二氮化硅渐变膜层的折射率渐变范围1.8～2.10；

所述第二氮化硅渐变膜层采用PECAD工艺进行镀膜时所使用的特气包括硅烷、氨气和笑气，通过控制特气的流量比参数以形成折射率可渐变控制的所述第二氮化硅渐变膜层，其中，所述硅烷、氨气和笑气三者的流量比例设置为1:10:8～1:16:12，反应时间控制范围50～200s。

优选的，所述第二氮氧化硅膜层满足如下参数条件：

所述第二氮氧化硅膜层的厚度设置为2～8nm；

所述第二氮氧化硅膜层的折射率设置为1.5～1.8；