[发明专利]一种基于差分降噪的SICM电压调制成像装置和方法有效

专利信息
申请号: 201710665557.0 申请日: 2017-08-07
公开(公告)号: CN109387670B 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 刘连庆;滕泽宇;杨洋;于鹏;杨铁;李广勇 申请(专利权)人: 中国科学院沈阳自动化研究所
主分类号: G01Q60/44 分类号: G01Q60/44
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 王倩
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 差分降噪 sicm 电压 调制 成像 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种基于差分降噪的SICM电压调制成像装置,其特征在于包括:信号发生器(1)、膜片钳放大器(2)、探针(3)、参比电极(5)、锁相放大器(6)、人机交互界面(7)、PID控制器(8)、纳米平台控制器(9)、Z轴压电陶瓷(10)和XY纳米平台(11);

膜片钳放大器(2)与探针(3)中的工作电极(4)、溶液中的参比电极(5)连接,还分别与信号发生器(1)、锁相放大器(6)连接;信号发生器(1)、锁相放大器(6)、人机交互界面(7)、PID控制器(8)、纳米平台控制器(9)、Z轴压电陶瓷(10)顺序连接;所述锁相放大器(6)与PID控制器(8)连接,人机交互界面(7)、纳米平台控制器(9)和XY纳米平台(11)顺序连接;

所述探针(3)与Z轴压电陶瓷(10)连接,装有溶液的容器置于XY纳米平台(11)上;

包括以下步骤:

1)信号发生器(1)产生两路同频交流电压,一路连接到膜片钳放大器(2)的外部电压输入端口,施加到工作电极(4)和参比电极(5)上作为驱动电压,另一路连接到锁相放大器(6)的参考信号端作为参考电压;

2)膜片钳放大器(2)检测回路中的离子电流,经I-V变换放大后由输出端口输出电压至锁相放大器(6)的差分输入端口1;锁相放大器(6)输入方式为单输入;

3)通过控制Z轴压电陶瓷(10)使探针逼近样品;

4)施加电容补偿:调节膜片钳放大器(2)的电容补偿值Ccomp,并增加驱动电压幅值;

5)差分降噪反馈信号调制:与参考信号同频同相位的调制信号输出到锁相放大器(6)的差分输入端口2,锁相放大器(6)输入方式为差分输入,先增加调制信号的电压幅值再增加信号发生器驱动电压幅值,重复进行多次;

6)计算得到新的电流设定值,使得反馈信号调制前后探针在工作点处的针尖与样品距离保持不变;

7)锁相放大器(6)提取差分输入端口1与输入端口2的输入信号中与参考电压同频同相分量或同频正交分量在信号输出端输出,作为PID控制器(8)的反馈信号,以新的电流设定值控制Z轴压电陶瓷(10)上下运动,使针尖与样品距离保持恒定;

8)控制XY向纳米平台(11)在水平面带动样品XY向运动,同时Z轴压电陶瓷(10)带动探针在样品表面随高度变化运动,记录下探针及样品相对位移的轨迹,得到样品的表面形貌,完成图像扫描;

新的电流设定值包括以下步骤:

记录反馈信号调制前施加在两个电极间的驱动电压幅值u1,回路电流的分量Iref_1,工作电流设定值sp1,记录反馈信号调制后驱动电压增加到的幅值u2;其中回路电流的分量Iref_1具体为:同相电压调制模式下为同相分量Isol_ref_1,正交电压调制模式下为正交分量Icap_ref_1

计算得到反馈信号调制后回路电流中的分量Iref_2、分量变化量esp_2;其中分量Iref_2具体为:同相电压调制模式下为同相分量Isol_ref_2,正交电压调制模式下为正交分量Icap_ref_2;分量变化量esp_2具体为:同相电压调制模式下为同相分量变化量esol_sp_2,正交电压调制模式下为正交分量变化量ecap_sp_2,其中esp_2指反馈信号调制后,对应调制前同样的探针工作距离,回路电流分量的设定值与基准电流值之差,其中基准电流值是指探针远离样品一定距离后离子电流不受探针-样品距离影响而保持在最大值时的电流值;

记录反馈信号调制后探针远离样品时锁相放大器(6)输出的分量幅值,包括同相电压调制模式下为同相分量Xref_2,正交电压调制模式下为正交分量Yref_2,再由esp_2计算得到新的电流设定值sp2

分量变化量esp_2

新的电流设定值,

其中,同相电压调制模式为:

sp2=1-esol_sp_2/Xref_2

正交电压调制模式为:

sp2=1+ecap_sp_2/Yref_2

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