[发明专利]一种单层二硒化钒二维材料的制备方法

权利要求书

1.一种单层二硒化钒二维材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)将石墨基底进行机械剥离，将剥离后的石墨基底在真空环境下进行预处理，得到表面干净平整的石墨基底；

2)将预处理后的石墨基底加热至250-300℃，然后将硒原子和钒原子采用不同的束流质量同时蒸发沉积到加热的石墨基底上，所述硒原子和钒原子的束流质量比为1:15-20，沉积反应30-60min，反应结束后将石墨基底保温5-10min，得到单层二硒化钒二维材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述蒸发沉积是指热阻式加热蒸发沉积和电子束加热蒸发沉积中的一种或两种。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述热阻式加热蒸发沉积具体通过如下方法实现：电阻丝通电流后加热坩埚使硒源或钒源升华，升华形成的硒原子或钒原子在坩埚和蒸发源口的约束下形成束流沉积在石墨基底上。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述电子束加热蒸发沉积具体通过如下方法实现：对通电灯丝产生的热电子施加高压使其加速轰击钒源或硒源并使其升华，升华形成的钒原子或硒原子在坩埚和蒸发源口的约束下形成束流沉积在石墨基底上。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述石墨基底为高定向热解石墨的解离面。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预处理是指将剥离后的石墨基底在真空环境下加热至800-1000℃，保持60-120min，然后自然冷却。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述真空环境是指真空度为10^-10-10^-7mbar。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述单层二硒化钒二维材料是呈六角蜂窝状排布的二维周期性结构；所述二维周期性结构的周期为0.33nm；所述单层二硒化钒的顶层与石墨基底之间的高度差为0.85nm。